物料型号：SSM5N15FE
器件简介：东芝生产的N沟道MOS型场效应晶体管，适用于高速开关和模拟开关应用。
引脚分配：1.GATE1 2.SOURCE 5.DRAIN 1 4.DRAIN2 3.GATE2
参数特性：
- 漏源电压(VDS)：30V
- 栅源电压(VGSS)：20V
- 漏电流(ID)：连续200mA，脉冲100mA
- 漏极功耗(Pp)：在25°C环境温度下150mW
- 沟道温度(Tch)：150°C
- 储存温度范围(Tstg)：-55至150°C
- 导通电阻(Ron)：VGS=4V时最大4.0Ω，VGS=2.5V时最大7.0Ω
功能详解：器件具有低导通电阻和较小的封装，适用于高速开关和模拟开关应用。
应用信息：适用于高速开关和模拟开关应用。
封装信息：2-2P1B封装，重量约为0.003g。
绝对最大额定值和电气特性表格中提供了详细的工作电压、电流、功耗和温度参数。
在使用时需注意静电放电防护，并参考东芝半导体可靠性手册进行设计。
