TC551402J-25

物料型号： - 型号：TC551402J - 版本：-22和-25

器件简介： TC551402J是一款由东芝生产的4,194,304位高速静态随机存取存储器（SRAM），可以重新配置为4,194,304个单词每单词1位或1,048,576个单词每单词4位。该芯片采用CMOS技术和先进的电路技术制造，以提供高速性能，并且可以从单一5V电源供电。芯片使能（CE）可用于将设备置于低功耗模式，输出使能（OE）提供快速内存访问。这款设备非常适合需要高速访问和高速存储的缓存内存应用。所有输入和输出都是隔离的，并且直接与TTL兼容。TC551402J提供32引脚塑料SOJ封装（400 mil宽度），适合高密度表面安装。

引脚分配： - 引脚1-32：包括地址输入（A0到A21）、数据输入/输出（/O1-/O4）、数据输入（D）、数据输出（Q）、芯片使能输入（CE）、写入使能输入（WE）、输出使能输入（OE）、电源（VDD）和地（GND）。

参数特性： - 工作电压：TC551402J-22为5V±5%，TC551402J-25为5V+10%。 - 静态操作。 - 输出缓冲器控制使用OE。 - 封装类型：32引脚塑料SOJ封装（400 mil宽度）。

功能详解： - 快速访问时间。 - 低功耗耗散。 - 单电源电压。 - 输出缓冲器控制使用OE。

应用信息： - 适用于需要高速访问和高速存储的缓存内存应用。

封装信息： - 封装类型：Plastic SOJ (SOJ32-P-400-1.27A)。 - 典型重量：1.22g。