### 物料型号
- 型号:TC55BS8128J-10/12
### 器件简介
- TC55BS8128J是一款由东芝生产的1.048576位同步静态随机存取存储器(Synchronous Static RAM),使用BiCMOS技术制造,组织为131,072字 x 8位。该器件与TC55BS8125J相似,但具有独立的数据输入和输出以及写周期的直通特性。
### 引脚分配
- 地址输入:A0~A16
- 数据输入:DO~D7
- 数据输出:Q0-Q7
- 时钟输入:CLK
- 芯片使能输入:CE
- 写使能输入:WE
- 电源:VDD(+5V)
- 地:GND
### 参数特性
- 工作电压:单电源5V±10%
- 封装:40引脚,400mil S封装,适合高密度组装
- 特点:
- 快速周期时间
- 输入和输出寄存器,用于同步操作
- 写周期的数据直通
- 分离的数据输入和输出
### 功能详解
- 设计用于流水线架构,内部输入和输出寄存器在外部时钟的正边沿锁存。所有地址、数据和控制信号都被锁存,输入的建立时间和保持时间分别为2ns和1ns。同步SRAM通过几乎消除传统异步SRAM相关的时序偏斜问题,可以实现更快、更稳健的系统操作。例如,写操作在启动时内部自定时,无需内存控制器或微处理器精确生成写脉冲和定时。写周期的直通特性允许输出跟随输入,延迟一个时钟周期。
### 应用信息
- 该SRAM适用于需要快速、稳定操作的系统,尤其是在需要流水线操作和同步数据操作的场合。
### 封装信息
- 封装类型:JEDEC标准引脚排列40引脚,400mil SQJ/SOJ40-P-400