物料型号：
- TOSHIBA TC55VD1618FF-133, -150, -167
器件简介：
- TC55VD1618FF是东芝公司生产的同步静态随机存取存储器（SRAM），组织为1,048,576字×18位。该SRAM采用NtRAM™技术，通过消除从读到写及反之的转换过程中的死循环，提供高带宽。所有输入/输出管脚（OE和ZZ除外）均与CLK输入的上升沿同步。
引脚分配：
- CLK：时钟输入
- A0到A19：地址输入
- CE, CE2, CE2：芯片使能输入
- OE：输出使能
- WE：写使能输入
- BW1到BW2：字节写使能
- ADV：地址提前输入
- CKE：时钟使能
- ZZ：休眠输入
- I/O1到I/O16：数据输入/输出
- I/OP1到I/OP2：奇偶校验数据输入/输出
- MODE：模式选择输入
- NC：未连接
- NU：不可用
- VDD：核心电源
- VDDQ：输出缓冲电源
- Vss：核心地
- VssQ：输出缓冲地
参数特性：
- 组织为1,048,576字×18位
- 最小周期时间为6ns（167MHz最大）
- 最大访问时间为3.6ns（从时钟边沿到数据输出）
- 无转换操作和流水线数据输出
- 2位突发地址计数器
- 同步写入休眠模式
- LVTTL兼容接口
- 单电源3.3V或双电源3.3V（核心）和2.5V（输出缓冲）
- 100引脚LQFP封装
功能详解：
- 该SRAM支持读写操作，具有快速周期时间和快速访问时间。支持突发读写序列，可通过MODE引脚选择线性或交错突发序列。还具有休眠模式以降低功耗。
应用信息：
- 适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场合，如高速缓存、内存扩展等。
封装信息：
- 采用100引脚低轮廓塑料QFP（LQFP）封装，典型重量为0.91克。
