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HHBY THB6128 THB6128 THB6128 THB6128 高细分两相混合式步进电机 两相混合式步进电机驱动 驱动芯片 高细分两相混合式步进电机 驱动芯片 ： 一、 特性 特性： ● ● ● ● ● ● 双全桥 MOSFET 驱动，低导通电阻 Ron＝0.55Ω 最高耐压４０VDC，大电流 2.2A（峰值） 多种细分可选（1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128） 自动半流锁定功能 快衰、慢衰、混合式衰减三种衰减方式可选 内置温度保护及过流保护 二、 管脚图 管脚图： 北京海华博远科技发展有限公司 -1http://www.hhbytech.com/cn/ 2009 年 03 月 HHBY THB6128 THB6128 管脚说明： 三、 管脚说明 ： 端子 No 端子符号 端子说明 17 DOWN 通电锁定时输出端 14/23 SGND 信号地 20 OSC1 斩波频率设定电容连接端 18 　　　　FDＴ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　衰减模式选择电压输入端 15 VREF 电流设定端 11 VMB B 相 电机电源连接端 28 M1 细分设置端 27 M2 细分设置端 26 M3 细分设置端 13 OUT2B B 相 OUTB 输出端 10 NFB B 相 电流检测电阻连接端 9 OUT1B B 相 OUTB 输出端 12 PGNDB B 相 功率地 7 OUT2A A 相 OUTA 输出端 6 NFA A 相 电流检测电阻连接端 3 OUT1A A 相 OUTA 输出端 4 PGNDA A 相 功率地 25 ENABLE 脱机信号控制端 24 RESET 复位信号输入端 5 VMA A 相 电机电源连接端 21 CLK 脉冲信号输入端 22 CW/CCW 正／反转信号输入端 19 OSC2 通电锁定检出时间设定电容连接端 16 MO 位置检出 Monitor 端 30 VREG1 内部稳压器用电容连接端 1 VREG2 内部稳压器用电容连接端 2 VM 电机电源连接端 29 ST/VCC 待机控制端 北京海华博远科技发展有限公司 -2http://www.hhbytech.com/cn/ 2009 年 03 月 HHBY THB6128 THB6128 四、 电器参数 电器参数： ： 1、 、 最高额定值 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) 项目 符号 额定值 符号 最高电源电压　　　　　VMmax　　　　　　　　　　　　　　　　　　３６ Ｖ 最大输出电流 Iomax 2.2 Ａ 最高逻辑输入电压 VINmax 6 Ｖ VREF 最高输入电压 VREFmax 3 Ｖ 工作环境温度 Topg －20～＋85 ℃ 保存环境温度 Tstg －55～＋150 ℃ 2、 、 正常运行参数范围 正常运行参数范围 Recommended Operating Range (Ta =  30 to 85°C) 参数 符号 最小 逻辑输入电压范围　　　　　VIN 　　　　 电源电压 输出电流 电流设定端 北京海华博远科技发展有限公司 典型. 最大 单位 ０　　　ｔｏ　　　5.0 V VM Io 9    3２ 2 V A VREF 0  3 V -3http://www.hhbytech.com/cn/ 2009 年 03 月 HHBY THB6128 THB6128 3、 电器特性 Electrical Characteristics (Ta = 25°C, VREF =1.5 V, VM = 24 V) 项目 符号 条件 待机时消耗电流 IMstn ST=”L” 200 μA 消耗电流 IM ST＝”H”、OE=”H” 、无负载 4 mA TSD 温度 TSD 180 ℃ Thermal Hysteresis 值 ΔTSD 40 ℃ 逻辑端子输入电流 IinL1 VIN=0.8V 8 μA IinH1 VIN=5V 50 μA 最小 标准 最大 符号 逻辑输入“H”Level 电压 Vinh Ｖ 逻辑输入“L”Level 电压 Vinl FDT 端子“H”Level 电压 Vfdth 　3.5 FDT 端子“M”Level 电压 Vfdtm 　1.1 FDT 端子“L”Level 电压 Vfdtl 斩波频率 Fch OSC1 端子充放电电流 斩波振荡电路 电压阈值 VREF 端子输入电流 Iref VREF=1.5V DOWN 输出残电压 VolDO Idown=1mA 400 mV MO 端子残电压 VolMO Imo=1mA 400 mV 通电锁定切换频率 Falert Cosc2=1500pF OSC2 端子充放电电流 通电锁定切换振荡电路 电压阈值 　2.0 Ｖ 　0.8 Cosc1=100pF V 　　　　3.1 V 　0.8 V 100 KHz Iosc1 10 μA Vtup1 1 V Vtdown1 0.5 V -0.5 μA 1.6 Hz Iosc2 TBD μA Vtup2 TBD V Vtdown2 TBD V REG1 输出电压 Vreg1 5 V REG2 输出电压 Vreg2 19 V Blanking 时间 Tbl 1 uS 输出 Ronu Io=2.0A、上側 ON 阻抗 0.3 Ω Rond Io=2.0A、下側 ON 阻抗 0.25 Ω 输出漏电流 Ioleak VM=36V 二极管正向压降 VD ID＝－2.0A 1 V 电流设定基准电压 VRF VREF=1.5V、電流比 100% 300 mV 256 μs 输出 ON 阻抗 50 μA 输出短路保护 Timer Latch 时间 Tscp 北京海华博远科技发展有限公司 -4http://www.hhbytech.com/cn/ 2009 年 03 月 HHBY THB6128 THB6128 五、 使用说明 细分设定（ （M1、 1、细分设定 M1、M2、 M2、M3） M3） M1 M2 M3 细分数 L L L 1 H L L 1/2 L H L 1/4 H H L 1/8 L L H 1/16 H L H 1/32 L H H 1/64 H H H 1/128 2、衰减模式设定 ＦDＴ为衰减方式控制端，调节此端电压可以选择不同的衰减方式，从而获得更好的驱动效 果。 VＦDＴ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　衰减方式 3.5