1. 物料型号: TK11A65W
2. 器件简介: 这是一个采用DTMOS技术的N-Channel MOSFET,适用于开关电源调节器。
3. 引脚分配: 1: Gate(栅极), 2: Drain(漏极), 3: Source(源极)
4. 参数特性:
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.33Ω(典型值)
- 门极阈值电压:Vth = 2.5至3.5V
- 封装类型:TO-220SIS
- 绝对最大额定值包括650V的漏源电压和11.1A的漏极电流等。
5. 功能详解: 提供了详细的电气特性,包括静态特性、动态特性、门极电荷特性和源漏特性。
6. 应用信息: 主要用于开关电源调节器。
7. 封装信息: 封装类型为TO-220SIS,提供了详细的封装尺寸和重量。