TK12A50D

物料型号：TK12A50D 器件简介：东芝生产的N沟道功率MOSFET，适用于开关稳压器应用。 引脚分配：1号引脚为栅极(Gate)，2号引脚为漏极(Drain)，3号引脚为源极(Source)。 参数特性： - 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.45 Ω（典型值） - 高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0 S（典型值） - 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值，VDS = 500 V） - 增强模式下的阈值电压：Vth = 2.0 to 4.0 V 绝对最大额定值： - 漏源电压：Vpss = 500 V - 栅源电压：VGSS = ±30 V - 漏电流：DC时为12 A，脉冲时为48 A - 单个脉冲雪崩能量：EAS = 364 mJ - 重复雪崩能量：EAR = 4.5 mJ - 沟道温度：Tch = 150°C - 存储温度范围：Tstg = -55 to 150°C

功能详解：文档提供了详细的电气特性表，包括栅极漏电流、漏源击穿电压、阈值电压、导通电阻、正向传输导纳、输入/反向/输出电容、开关时间等参数。

应用信息：适用于开关稳压器等应用。

封装信息：JEDEC和JEITA SC-67封装，重量为1.7克（典型值）。