TK15A50D(STA4,Q,M)

1. 物料型号：TK15A50D 2. 器件简介：东芝生产的N沟道MOS型场效应晶体管，适用于开关稳压器应用。 3. 引脚分配：1号引脚为栅极(Gate)，2号引脚为漏极(Drain)，3号引脚为源极(Source)。 4. 参数特性： - 漏源导通电阻低：RDS(ON) = 0.24 Ω（典型值） - 高正向传输导纳：|Yfs| = 7.0 S（典型值） - 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值，VDS = 500 V） - 增强型模式：Vth = 2.0至4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA） 5. 功能详解：包括电气特性表，展示了栅极漏电流、漏极截止电流、漏源击穿电压、栅极阈值电压、漏源导通电阻、正向传输导纳、输入电容、反向传输电容、输出电容、开关时间等参数。 6. 应用信息：文档中提到了产品在高温、高电流、高电压等重载下连续使用可能会显著降低可靠性，即使操作条件在绝对最大额定值内。建议设计时参考东芝半导体可靠性手册，并考虑个别可靠性数据。 7. 封装信息：封装类型为JEITA SC-67，重量为1.7克（典型值）。