TK17E80W,S1X

物料型号：TK17E80W

器件简介：这是一种N-Channel MOSFET，采用了DTMOS超级结技术。

引脚分配：TO-220封装，1为栅极，2为漏极（散热器），3为源极。

参数特性： - 极低的漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.25Ω（典型值）。 - 容易控制的栅极开关。 - 增强型模式：阈值电压Vth = 3.0至4.0V（VDS = 10V，ID = 0.85mA）。

功能详解： - 适用于开关电压调节器等应用。 - 绝对最大额定值包含漏源电压、栅源电压、直流漏电流等。 - 热特性包括通道到外壳的热阻和通道到环境的热阻。

应用信息： - 此晶体管对静电放电敏感，处理时需要小心。 - 产品使用限制包括不得用于需要极高质量和/或可靠性水平的设备或系统中。

封装信息：TOSHIBA的2-10X1A封装，昵称为TO-220，重量约为1.93克。