物料型号：TK25N60X
器件简介：
- 东芝生产的N沟道MOSFET，采用DTMOS超级结技术，具有低导通电阻和高速开关特性。
引脚分配：
- 1: Gate
- 2: Drain (Heatsink)
- 3: Source
参数特性：
- 导通电阻RDS(ON)典型值为0.105Ω
- 阈值电压Vth在2.5到3.5V之间
- 封装类型为TO-247
功能详解：
- 该MOSFET适用于开关电源调节器等应用，具有低导通电阻和高速开关特性。
应用信息：
- 适用于开关电源调节器等需要高速开关和低导通电阻的应用场景。
封装信息：
- 封装类型为TO-247，具有3个引脚，分别为栅极、漏极（散热片）和源极。
