TK31V60X,LQ

数据手册：

TK31V60X,LQ 数据手册

TK31V60X,LQ

物料型号：TK31V60X

器件简介： - 东芝的TK31V60X是一款采用DTMOS超结技术的N沟道MOSFET，具有低导通电阻和高速开关特性。

引脚分配： - 1: 栅极(Gate) - 2和3,4: 源极(Source1和Source2) - 5: 漏极(Drain，带有散热器)

参数特性： - 导通电阻(RDS(ON))典型值为0.078欧姆 - 阈值电压(Vth)在2.5到3.5伏之间 - 封装类型为DFN8x8

功能详解： - 该MOSFET适用于开关电源调节器等应用，具有低导通电阻和高速开关特性。

应用信息： - 适用于开关电源调节器等。

封装信息： - 封装类型为DFN8x8，重量约为0.175克。

TK31V60X,LQ 价格&库存

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