TK49N65W5,S1F

物料型号：TK49N65W5

器件简介：TK49N65W5是一款采用DTMOS工艺制造的N沟道MOSFET，具有快速的反向恢复时间、低漏源导通电阻、易于控制的栅极开关和增强型模式等特点。

引脚分配：1: 栅极 2: 漏极（散热器）3: 源极

参数特性： - 绝对最大额定值：包括漏源电压、栅源电压、漏极电流（直流/脉冲）、功耗、单脉冲雪崩能量、雪崩电流、反向漏极电流（直流/脉冲）、通道温度、储存温度、安装扭矩等。 - 热特性：包括通道到外壳热阻、通道到环境热阻。 - 电气特性：静态特性包括栅极漏电流、漏极截止电流、漏源击穿电压、栅极阈值电压、漏源导通电阻；动态特性包括输入电容、反向传输电容、输出电容、有效输出电容、栅极电阻、开关时间（上升时间、开通时间、下降时间、关断时间）；栅极电荷特性包括总栅极电荷、栅源电荷、栅漏电荷；源漏特性包括二极管正向电压、反向恢复时间、反向恢复电荷、峰值反向恢复电流、二极管dv/dt耐量。

功能详解：该MOSFET适用于开关电压调节器，并具有快速反向恢复时间、低导通电阻、增强型模式等优点。

应用信息：可用于开关电压调节器等应用。

封装信息：采用TO-247封装，具体包括JEITA标准下的SC-65、TOSHIBA标准下的2-16L1A和昵称TO-247。