TK6A55DA(STA4,Q,M)

物料型号: TOSHIBA TK6A55DA

器件简介: - 这是东芝的N沟道功率MOSFET，适用于开关稳压器应用。 - 特点包括低漏源导通电阻、高正向传输导纳和低漏电流。

引脚分配: - 1: 栅极(Gate) - 2: 漏极(Drain) - 3: 源极(Source)

参数特性: - 漏源导通电阻(RDS(ON)): 典型值1.25Ω - 正向传输导纳(|Yfs|): 典型值3.2S - 漏电流(IDSS): 最大10μA (在550V VDS下)

功能详解: - 增强模式下的阈值电压(Vth): 2.4V 至 4.4V - 绝对最大额定值包括550V的漏源电压，35W的漏功耗散等。 - 热特性包括通道到外壳的热阻和通道到环境的热阻。

应用信息: - 器件是静电敏感设备，处理时需小心。 - 产品使用限制包括不用于需要极高质量和/或可靠性的设备或系统。

封装信息: - JEDEC: 2-10U1B - JEITA: SC-67 - 重量: 典型值1.7g

电气特性: - 包括栅极漏电流、漏极截止电流、漏源击穿电压等。

源-漏额定和特性: - 包括连续漏极反向电流、脉冲漏极反向电流等。

标记: - 包含部件编号或缩写代码，批号。

环境信息: - 产品标签可能包含RoHS兼容性标识。