物料型号：TPN19008QM
器件简介：TPN19008QM 是东芝公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用U-MOS▲-H工艺制造，适用于高效率DC-DC转换器、开关电压调节器和电机驱动器等应用。
引脚分配：1, 2, 3: 源极；4: 栅极；5, 6, 7, 8: 漏极
参数特性：
- 高速开关
- 小型栅极电荷：Qsw=5.5 nC（典型值）
- 小型输出电荷：Qoss=16.5 nC（典型值）
- 低漏源导通电阻：RDS(ON)=14.7 mΩ（典型值，VGS=10V）
- 低漏极电流：IDS=10 μA（最大值，VDS=80V）
- 增强模式：Vth=2.5至3.5V（VDS=10V，IDS=0.2 mA）
功能详解：该器件具有高速开关能力，小的栅极电荷和输出电荷有助于减少开关损耗，低导通电阻有助于降低导通损耗，增强模式使其在关闭状态下不消耗电流。
应用信息：适用于高效率DC-DC转换器、开关电压调节器和电机驱动器等应用。
封装信息：TSON Advance封装，重量约为0.02克。
以上信息摘自东芝半导体存储公司的官方数据手册。
