XPN7R104NC,L1XHQ

1. 物料型号： - 型号：XPN7R104NC - 制造商：东芝半导体存储公司

2. 器件简介： - 该器件是一款N沟道MOSFET（U-MOSⅩ），符合AEC-Q101标准，具有小尺寸、薄型封装，低漏电流和增强型模式等特点，适用于汽车开关、电压调节器、DC-DC转换器和电机驱动等应用。

3. 引脚分配： - 1, 2, 3: 源极(S) - 4: 栅极(G) - 5, 6, 7, 8: 漏极(D)

4. 参数特性： - 漏源电压(VDS)：40V - 栅源电压(VGS)：+20V - 漏电流(DC)：20A - 漏电流(脉冲)：60A - 功率耗散：65W（在25°C时） - 雪崩能量：83mJ - 雪崩电流：20A - 通道温度：175°C - 存储温度：-55至175°C

5. 功能详解： - 该器件为增强型MOSFET，具有低漏源导通电阻（RDS(ON)），典型值为5.6mΩ（在VGS=10V时）。 - 具有低漏电流，最大值为10μA（在VDS=40V时）。 - 阈值电压(Vth)范围为1.5至2.5V。

6. 应用信息： - 适用于汽车开关、电压调节器、DC-DC转换器和电机驱动等应用。

7. 封装信息： - 封装类型：TSON Advance(WF) - 重量：约0.026g - 封装尺寸：具体尺寸图参见PDF文档中的“Package Dimensions”部分。