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创作活动
1N5937B

1N5937B

  • 厂商:

    TRSYS

  • 封装:

  • 描述:

    1N5937B - GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODE - Transys Electronics

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
1N5937B 数据手册
1N5937B
1. 物料型号:1N5926B THRU 1N5956B

2. 器件简介: - 器件为玻璃钝化结硅齐纳二极管,电压范围从11到200伏特,功率为1.5瓦特。 - 特点包括低剖面封装、内置应变消除、玻璃钝化结、低电感以及在11伏以上时典型$I_{R}$小于1EgA。 - 高温焊接:260V,10秒在端子上。 - 塑料封装具有UL(Underwriters Laboratories)阻燃性分类94V-0。

3. 引脚分配: - 极性:色带表示正端(阴极)。

4. 参数特性: - 最大额定值和电气特性在25°C环境温度下,除非另有说明。 - 直流功率耗散@ T=75°C,测量零引线长度(注1,图1)高于75°C时降额。 - 峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波叠加在额定负载上(JEDEC方法)(注1.2)。

5. 功能详解: - 齐纳电压(Vz)测量:在25°C环境温度下,设备功能处于热平衡状态时测量名义齐纳电压。 - 齐纳阻抗(Zz)推导:通过将交流电压降除以准确施加的电流来测量$ZzT$。指定限制为$I_{Z(ac)}=0.1 I_{Z}$(直流),交流频率=60Hz。

6. 应用信息: - 标准包装:52mm胶带。 - 重量:0.012盎司,0.3克。

7. 封装信息: - 端子:按照MIL-STD-750方法2026镀锡,可焊。
1N5937B 价格&库存

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