BAS70-06

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TSC
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BAS70-06 - 200m Watts Surface Mount Schottky Barrier Diode - Taiwan Semiconductor Company, Ltd

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BAS70 / -04 / -05 / -06 200m Watts Surface Mount Schottky Barrier Diode SOT-23 0.020(0.51) 0.015(0.37) Features Low turn-on voltage Fast switching PN junction guard Ring for transient and ESD protection 0.080(2.05) 0.070(1.78) 0.024(0.61) 0.018(0.45) 0.120(3.05) 0.104(2.65) 0.055(1.40) 0.047(1.19) 0.098(2.50) 0.083(2.10) 0.041(1.05) 0.047(0.89) Mechanical Data Case: SOT-23, Molded plastic Terminals: Solderable per MIIL-STD-202, Method 208 Marking & Polarity: See diagram Weight: 0.008 grams 0.043(1.10) 0.035(0.89) 0.006(0.15) 0.001(0.013) 0.024(0.61) 0.018(0.45) 0.007(0.178) 0.003(0.076) Dimensions in inches and (millimeters) BAS70 Marking: 73 BAS70-04 Marking: 74 BAS70-05 Marking: 75 BAS70-06 Marking: 76 Maximum Ratings Type Number TA=25 C unless otherwise specified Symbol VRRM VRWM VR VR(RMS) o BAS70 70 49 70 100 200 625 -55 to + 125 -65 to + 150 Units V V mA mA mW K/W o o Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage RMS Reverse Voltage Forward Continuous Current (Note 1) Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t ≦1.0s Power Dissipation (Note 1) Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1) Operating Junction Temperature Range Storage Temperature Range IF IFSM Pd RθJA TJ TSTG Symbol V(BR) IR VF Cj trr Min 70 _ _ _ _ C C Electrical Characteristics Type Number Reverse Breakdown Voltage (Note 2), IR=10uA Reverse Leakage Current tp

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BAS70-06

1. 物料型号： - BAS70/-04/-05/-06

2. 器件简介： - 该器件为200mW功率的表面贴装肖特基势垒二极管，封装为SOT-23。

3. 引脚分配： - 引脚可焊性符合MIL-STD-202方法208，具体引脚图示和极性标记见文档中的图表。

4. 参数特性： - 峰值重复反向电压（VRRM）：70V - 工作峰值反向电压（VRWM）：70V - DC阻断电压（VR）：70V - 反向RMS电压（VR(RMS)）：49V - 正向连续电流（IF）：70mA - 非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）：100mA - 功耗（Pd）：200mW - 热阻（RoJA）：625K/W - 工作结温范围（T）：-55至+125°C - 存储温度范围（TSTG）：-65至+150°C

5. 功能详解： - 该二极管具有PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。 - 快速开关特性。 - 低导通电压。

6. 应用信息： - 适用于需要快速开关和低功耗的应用场合。

7. 封装信息： - 封装类型为SOT-23，塑封。 - 重量为0.008克。

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