物料型号:
- BZX85C3V3
- BZX85C3V6
- BZX85C3V9
- BZX85C4V3
- BZX85C4V7
- BZX85C5V1
- BZX85C5V6
- BZX85C6V2
- BZX85C6V8
- BZX85C7V5
- BZX85C8V2
- BZX85C9V1
- BZX85C10
- BZX85C11
- BZX85C12
- BZX85C13
- BZX85C15
- BZX85C16
- BZX85C18
- BZX85C20
- BZX85C22
- BZX85C24
- BZX85C27
- BZX85C30
- BZX85C33
- BZX85C36
- BZX85C39
- BZX85C43
- BZX85C47
- BZX85C51
- BZX85C56
器件简介:
台湾半导体制造的1.3瓦特齐纳二极管,DO-41封装。这些齐纳二极管用于高功率额定值的稳定和限幅电路。
引脚分配:
- 玻璃套管DO-41封装
- 轴向引脚,可按照MIL-STD-202, Method 2025进行焊接
参数特性:
- 最大耗散功率:1.3瓦特
- 热阻(结到环境空气):130°C/W
- 工作和存储温度范围:-55至+175摄氏度
功能详解:
这些齐纳二极管具有按照国际E24标准分级的齐纳电压,可以替换带有后缀"C"的型号。
应用信息:
适用于需要高功率额定值的稳定和限幅电路。
封装信息:
- 封装类型:玻璃套管DO-41封装
- 引脚:轴向引脚,可焊接