BZY55B2V4

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TSC
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BZY55B2V4 - 500mW,2% Tolerance SMD Zener Diode - Taiwan Semiconductor Company, Ltd

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BZY55B2V4~BZY55B36 500mW,2% Tolerance SMD Zener Diode Small Signal Diode 0805 A Features Wide zener voltage range selection : 2.4V to 36V Surface device type mounting Moisture sensitivity level 1 Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate Pb free version and RoHS compliant Halogen free B C D Mechanical Data Case :0805 standard package, molded plastic Terminal: Matte tin plated, lead free., solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed High temperature soldering guaranteed:260°C/10s Polarity : Indicated by cathode band Weight :0.006 gram (approximately) Dimensions A B C D Unit (mm) Min 1.80 1.05 0.25 0.75 Max 2.20 1.45 0.65 0.95 Unit (inch) Min Max 0.071 0.086 0.041 0.057 0.010 0.026 0.030 0.037 Ordering Information Part No. Package code BZY55B2V4~BZY55B36 RYG Package 0805 Packing 5K / 7" Reel Pin Configutation Suggested PAD Layout 1.10 0.043 1.40 0.055 1.20 0.047 Maximum Ratings and Electrical Characteristics Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. 3.40 0.133 Unit : mm inch Maximum Ratings Type Number Power Dissipation Forward Voltage Thermal Resistance (Junction to Ambient) Junction and Storage Temperature Range Notes:1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature (Note 1) IF=10mA Symbol PD VF RθJA TJ, TSTG Value 500 1.5 300 -55 to + 150 Units mW V °C/W °C Zener I vs. V Characteristics Current IF VZM VZ VBR VR IR IZK VF Voltage VBR IZK ZZK IZT VZ ZZT Forward Region : Voltage at IZK : Test current for voltage V BR : Dynamic impedance at IZK : Test current for voltage V Z : Voltage at current IZT : Dynamic impedance at IZT : Maximum steady state current : Voltage at IZM IZT IZM BreakdownRegion Leakage Region IZM VZM Version : A11 BZY55B2V4~BZY55B36 500mW,2% Tolerance SMD Zener Diode Small Signal Diode Electrical Characteristics Ta = 25°C unless otherwise noted VF Forward Voltage = 1.5V Maximum @ IF = 200 mA for all part numbers Part Number BZY55B2V4 BZY55B2V7 BZY55B3V0 BZY55B3V3 BZY55B3V6 BZY55B3V9 BZY55B4V3 BZY55B4V7 BZY55B5V1 BZY55B5V6 BZY55B6V2 BZY55B6V8 BZY55B7V5 BZY55B8V2 BZY55B9V1 BZY55B10 BZY55B11 BZY55B12 BZY55B13 BZY55B15 BZY55B16 BZY55B18 BZY55B20 BZY55B22 BZY55B24 BZY55B27 BZY55B30 BZY55B33 BZY55B36 Notes: 1. The Zener Voltage (VZ) is tested under pulse condition of 10ms 2. The device numbers listed have a standard tolerance on the nominal zener voltage of ±2%. 3. For detailed information on price, availability and delivery of nominal zener voltages between the voltages shown and tighter voltage tolerances, 4. The zener impedance is derived from the 60-cycle ac voltage, which results when an ac current having an rms value equal to 10% of the DC zener current Device Marking 2V4 2V7 3 3V3 3V6 3V9 4V3 4V7 5V1 5V6 6V2 6V8 7V5 8V2 9V1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 VZ @ IZT (Volt) Nom 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 Min 2.35 2.65 2.94 3.23 3.53 3.82 4.21 4.61 5.00 5.49 6.08 6.66 7.35 8.04 8.92 9.80 10.78 11.76 12.74 14.70 15.68 17.64 19.60 21.56 23.52 26.46 29.40 32.34 35.28 Max 2.45 2.75 3.06 3.37 3.67 3.98 4.39 4.79 5.20 5.71 6.32 6.94 7.65 8.36 9.28 10.20 11.22 12.24 13.26 15.30 16.32 18.36 20.40 22.44 24.48 27.54 30.60 33.66 36.72 IZT(mA) 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 ZZT @ IZT(Ω) Max 85 85 85 85 85 85 80 70 50 30 10 8 7 7 10 15 20 20 26 30 40 50 55 55 80 80 80 80 80 IZK(mA) 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 ZZK @ IZK(Ω) IR @ VR(μA) Max Max 600 600 600 600 600 600 600 600 550 450 200 150 50 50 50 70 70 90 110 110 170 170 220 220 220 220 220 220 220 50 10 4 2 2 2 1 0.5 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 VR(V) 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 2.0 3.0 5.0 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10.0 11.0 12.0 13.0 15.0 16.0 18.0 20.0 22.0 24.0 27.0 Version : A11 BZY55B2V4~BZY55B36 500mW,2% Tolerance SMD Zener Diode Small Signal Diode Rating and Sharacteristic Curves FIG 1 Typical Forward Characteristics 100 100 FIG 2 Zener Breakdown Characteristics Forward Current (mA) Zener Current (mA) 10 1 0.1 0.01 80 60 40 20 0 Ta=25°C Ta=25°C 0.001 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 0 4 8 12 16 20 Forward Voltage (V) Zener Voltage (V) 50 FIG 3 Zener Breakdown 600 FIG 4 Admissible Power Disspation Curve Power Dissipation (mW) 500 400 300 200 100 0 Zener Current (mA) 40 30 20 10 0 15 20 25 30 35 0 30 60 90 120 150 180 Zener Voltage (V) Ambient Tempeture (°C) FIG 5 Typical Capacitance 200 160 120 80 40 0 Capacitance(pF) Ta=150°C Ta=25°C 0 5 10 15 20 25 Zener Voltage (V) Version : A11

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BZY55B2V4

1. 物料型号： - 型号：BZY55B2V4~BZY55B36 - 封装代码：RYG - 封装：0805标准封装，模塑料 - 包装：5K/7"卷装

2. 器件简介： - 台湾半导体的小信号二极管，具有广泛的齐纳电压范围选择（2.4V至36V），表面安装器件类型，湿润敏感度等级1，铅表面处理为无铅的雾锡镀层，下层为镍镀层，无铅版本，符合RoHS标准，无卤素。

3. 引脚分配： - 极性由阴极带表示。 - 引脚配置图示中，VBR代表IZK测试电压，IZK为测试电流，ZZK为动态阻抗，IZT为VZ测试电流，ZZT为动态阻抗，IZM为最大稳态电流，VZM为IZM时的电压。

4. 参数特性： - 最大额定值和电气特性在25°C环境温度下给出，除非另有说明。 - 最大额定值包括功率耗散（Po 500mW）、正向电压（VE 1.5V）、热阻（ROJA 300°C/W）、结和储存温度范围（TJ.TSTG -55至+150°C）。

5. 功能详解和应用信息： - 正向电压在200μA时，所有型号的最大值为1.5V。 - 齐纳电压（VZ）在10ms脉冲条件下测试。 - 设备编号列出的标准公差为±2%的标称齐纳电压。 - 齐纳阻抗是从60Hz交流电压推导出来的，当交流电流的均方根值等于直流齐纳电流的10%时。

6. 封装信息： - 尺寸（单位：mm）：A 1.80-2.20，B 1.05-1.45，C 0.25-0.65，D 0.75-0.95。 - 尺寸（单位：英寸）：A 0.071-0.086，B 0.041-0.057，C 0.010-0.026，D 0.030-0.037。

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