1. 物料型号：
- TSB1386CP：采用TO-252封装。
- TSB1386CY：采用SOT-89封装。
2. 器件简介：
- TSB1386是一款低频PNP晶体管，具有低VCE(SAT)和优秀的直流电流增益特性。
3. 引脚分配：
- 1. Base（基极）
- 2. Collector（集电极）
- 3. Emitter（发射极）
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：-30V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：-20V
- 发射极-基极电压（VEBO）：-6V
- 直流集电极电流（Ic）：-5A（连续），-10A（脉冲）
- 集电极功耗耗散（TO-252）：1W，（SOT-89）：0.5W
- 工作结温（TJ）：+150°C
- 工作结和存储温度范围（TSTG）：-55至+150°C
5. 功能详解：
- TSB1386是一款外延平面型PNP硅晶体管，具有低VCE(SAT)和优秀的直流电流增益特性。
6. 应用信息：
- 该晶体管适用于需要低饱和电压和高电流增益的应用场合。
7. 封装信息：
- TO-252和SOT-89两种封装方式，具体参数如下：
- TO-252封装的集电极功耗耗散为1W。
- SOT-89封装的集电极功耗耗散为0.5W。
