TSB1664CYQ

TSB1664CYQ

  • 厂商:

    TSC

  • 封装:

  • 描述:

    TSB1664CYQ - Low Frequency NPN Transistor - Taiwan Semiconductor Company, Ltd

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  • 价格&库存
TSB1664CYQ 数据手册
TSD1664 Low Frequency NPN Transistor Pin assignment: 1. Base 2. Collector 3. Emitter BVCEO = 20V Ic = 800mA VCE (SAT), = 0.15V(typ.) @Ic / Ib = 400mA / 20mA Features Low VCE (SAT). Excellent DC current gain characteristics Ordering Information Part No. TSB1664CY Packing Tape & Reel Package SOT-89 Structure Epitaxial planar type. NPN silicon transistor Absolute Maximum Rating (Ta = 25 oC unless otherwise noted) Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Collector Power Dissipation Operating Junction Temperature Operating Junction and Storage Temperature Range Note: 1. Single pulse, Pw = 20mS, Duty
TSB1664CYQ
物料型号: - 型号:TSB1664CY - 封装:SOT-89

器件简介: - TSB1664CY是一种NPN硅晶体管,属于外延平面型。

引脚分配: - Emitter(发射极):3号引脚 - Base(基极):1号引脚 - Collector(集电极):2号引脚

参数特性: - 集-基电压(VCBO):40V - 集-射电压(VCEO):20V - 发-基电压(VEBO):5V - 直流集电极电流(Ic):0.8A(连续),1.5A(脉冲) - 集电极功耗(P0):0.5W(SOT-89封装)

功能详解: - 低VCE(饱和)电压和优秀的直流电流增益特性。

应用信息: - 该晶体管适用于需要低饱和电压和高直流电流增益的应用场合。

封装信息: - 封装类型:SOT-89 - 尺寸参数:PDF中提供了详细的机械尺寸图和参数。
TSB1664CYQ 价格&库存

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