TSC128D_11

TSC128D_11

  • 厂商:

    TSC

  • 封装:

  • 描述:

    TSC128D_11 - High Voltage NPN Transistor with Diode - Taiwan Semiconductor Company, Ltd

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  • 价格&库存
TSC128D_11 数据手册
TSC128D High Voltage NPN Transistor with Diode TO-220 TO-263 2 (D PAK) Pin Definition: 1. Base 2. Collector 3. Emitter PRODUCT SUMMARY BVCEO BVCBO IC VCE(SAT) 400V 700V 4A 1.5V @ IC / IB = 4A / 1A Features ● ● Build-in Free-wheeling Diode Makes Efficient Antisaturation Operation No Need to Interest an hfe Value Because of Low Variable Storage-time Spread Even Though Comer Spirit Product. ● ● Low Base Drive Requirement Suitable for Half Bridge Light Ballast Application Block Diagram Structure ● ● ● Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Integrated Anti-parallel Collector-Emitter Diode Ordering Information Part No. TSC128DCZ C0 TSC128DCM RN Package TO-220 TO-263 Packing 50pcs / Tube 800pcs / 13” Reel Absolute Maximum Rating (Ta = 25oC unless otherwise noted) Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage @ VBE=0V Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Collector Peak Current (tp
TSC128D_11
物料型号: - TSC128DCZ C0:封装为TO-220,包装为50pcs/管。 - TSC128DCM RN:封装为TO-263,包装为800pcs/13英寸卷轴。

器件简介: - TSC128D是一款高电压NPN晶体管,内置自由整流行二极管,实现高效的抗饱和操作,无需外部hfe值,低基极驱动需求,适合半桥式轻球镇流应用。

引脚分配: - 1. 基极(Base) - 2. 集电极(Collector) - 3. 发射极(Emitter)

参数特性: - 集电极-基极电压(BVCEO):400V - 集电极-基极反向电压(BVCBO):700V - 集电极电流(Ic):4A - 集电极-发射极饱和电压(VCE(SAT)):1.5V @ Ic/I= 4A/1A

功能详解: - 该晶体管具有内置的抗平行集电极-发射极二极管。 - 具有低变量存储时间分散,即使在角落精神产品中也无需额外的hfe值。 - 适合用于半桥式轻球镇流应用。

应用信息: - 该产品不适用于医疗、救生或维持生命的应用。客户使用或销售这些产品用于此类应用,需自行承担风险,并同意因不当使用或销售导致的任何损害向TSC提供全额赔偿。

封装信息: - TO-220和TO-263两种封装形式,具体尺寸信息请参考PDF文档中的机械绘图部分。
TSC128D_11 价格&库存

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