TSC5302D

厂商：
TSC
封装：
描述：
TSC5302D - High Voltage NPN Transistor with Diode - Taiwan Semiconductor Company, Ltd

数据手册：

下载TSC5302D.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

TSC5302D 数据手册

T SC5 3 0 2 D High Voltage NPN Transistor with Diode TO-251 (IPAK) TO-252 (DPAK) Pin Definition: 1. Gate 2. Drain 3. Source PRODUCT SUMMARY BVCEO BVCBO IC VCE(SAT) 400V 700V 2A 1.1V @ IC / IB = 1A / 0.25A Features ● ● ● ● Build-in Free-wheeling Diode Makes Efficient Anti-satur ation Operation No Need to Interest an hfe Value Because of Low Variable Storage-time Spread Even Though Comer Spirit Pr oduct. Low Base Drive R equirement Suitable for H alf Bridge Light Ballast Application Block Diagram Structure ● ● Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Trans istor with D iode Ordering Information Part No. TSC5302DC P RO TSC5302DCH C5 Package TO-252 TO-251 Packi ng 2.5Kpcs / 13” Reel 70pc s / T ube Absolute Maximum Rating (Ta = 25oC unless otherwise noted) Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter- Base Voltage Collector Current Collector Peak Current (tp

下载 PDF

TSC5302D

物料型号： - TSC5302DCP RO：封装为TO-252，包装为2.5Kpcs/13" Reel。 - TSC5302DCH C5：封装为TO-251，包装为70pcs/Tube。

器件简介： - TSC5302D是一款高压NPN晶体管，内置续流二极管，符合RoHS合规性。

引脚分配： - TO-251 (IPAK) 和 TO-252 (DPAK) 两种封装。 - 引脚1：栅极（Gate） - 引脚2：漏极（Drain） - 引脚3：源极（Source）

参数特性： - 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：400V - 集电极-基极击穿电压（BVCBO）：700V - 发射极-基极击穿电压（VEBO）：10V - 集电极电流（Ic）：2A - 集电极-发射极饱和电压（VCE(SAT)）：1.1V @ Ic/Ib = 1A/0.25A

功能详解： - 内置续流二极管，实现高效的抗饱和操作。 - 无需关心hfe值，因为变化小。 - 低基极驱动需求。 - 适用于半桥照明球ast应用。

应用信息： - 该产品不适用于医疗、救生或维持生命的应用。

封装信息： - 提供了TO-252和TO-251两种封装的详细尺寸图纸。

TSC5302D 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“TSC5302D”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货