TSC5304D_1

TSC5304D_1

  • 厂商:

    TSC

  • 封装:

  • 描述:

    TSC5304D_1 - High Voltage NPN Transistor with Diode - Taiwan Semiconductor Company, Ltd

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TSC5304D_1 数据手册
TSC5304D High Voltage NPN Transistor with Diode TO-251 (IPAK) TO-252 (DPAK) Pin Definition: 1. Base 2. Collector 3. Emitter PRODUCT SUMMARY BVCEO BVCBO IC VCE(SAT) 400V 700V 4A 1.5V @ IC / IB = 4A / 1A Features ● ● Build-in Free-wheeling Diode Makes Efficient Antisaturation Operation No Need to Interest an hfe Value Because of Low Variable Storage-time Spread Even Though Comer Spirit Product. ● ● Low Base Drive Requirement Suitable for Half Bridge Light Ballast Application Block Diagram Structure ● ● ● Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Integrated Anti-parallel Collector-Emitter Diode Ordering Information Part No. TSC5304DCP RO TSC5304DCH C5 Package TO-252 TO-251 Packing 2.5Kpcs / 13” Reel 75pcs / Tube Absolute Maximum Rating (Ta = 25oC unless otherwise noted) Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage @ VBE=0V Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Collector Peak Current (tp
TSC5304D_1
1. 物料型号: - TSC5304DCP RO:封装为TO-252,包装为2.5Kpcs/13"Reel。 - TSC5304DCH C5:封装为TO-251,包装为75pcs/Tube。

2. 器件简介: - TSC5304D是一款高压NPN晶体管,带有内置的自由轮二极管,用于提高抗饱和操作效率。

3. 引脚分配: - 1. Base(基极) - 2. Collector(集电极) - 3. Emitter(发射极)

4. 参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):700V - 集电极-发射极电压(VCEO):400V - 发射极-基极电压(VEBO):9V - 集电极电流(Ic):4A - 集电极饱和电压(VCE(SAT)):1.5V @ Ic/Ib = 4A/1A

5. 功能详解: - 内置自由轮二极管,无需外部hfe值。 - 低基极驱动需求。 - 适用于半桥照明球ast应用。 - 硅三重扩散类型。 - NPN硅晶体管。 - 集成的反平行集电极-发射极二极管。

6. 应用信息: - 适用于半桥照明球ast应用。

7. 封装信息: - 提供TO-251和TO-252两种封装选项。
TSC5304D_1 价格&库存

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