TSC5304EDCHC5

TSC5304EDCHC5

  • 厂商:

    TSC

  • 封装:

  • 描述:

    TSC5304EDCHC5 - High Voltage NPN Transistor with Diode - Taiwan Semiconductor Company, Ltd

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TSC5304EDCHC5 数据手册
TSC5304ED High Voltage NPN Transistor with Diode TO-251 (IPAK) TO-252 (DPAK) Pin Definition: 1. Base 2. Collector 3. Emitter PRODUCT SUMMARY BVCEO BVCBO IC VCE(SAT) 400V 700V 4A 0.25V (Typ.) @ IC=0.5A, IB=0.1A Features ● ● Build-in Free-wheeling Diode Makes Efficient Antisaturation Operation No Need to Interest an hfe Value Because of Low Variable Storage-time Spread Even Though Comer Spirit Product. ● ● Low Base Drive Requirement Suitable for Half Bridge Light Ballast Application Block Diagram Structure ● ● ● Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Integrated Anti-parallel Collector-Emitter Diode Ordering Information Part No. TSC5304EDCP RO TSC5304EDCH C5 Package TO-252 TO-251 Packing 2.5Kpcs / 13” Reel 75pcs / Tube Absolute Maximum Rating (Ta = 25oC unless otherwise noted) Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage @ VBE=0V Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Collector Peak Current (tp
TSC5304EDCHC5
物料型号: - TSC5304EDCP RO:封装为TO-252,包装为2.5Kpcs/13"Reel。 - TSC5304EDCH C5:封装为TO-251,包装为75pcs/Tube。

器件简介: - TSC5304ED是一款高压NPN晶体管,内部集成了一个免费的续流二极管,使得抗饱和操作更加高效。无需关注hfe值,因为存储时间分散很低,即使在角落精神产品中也是如此。

引脚分配: - TO-252 (DPAK):1. Base(基极) 2. Collector(集电极) 3. Emitter(发射极) - TO-251 (IPAK):同上。

参数特性: - 集电极-发射极击穿电压(BVCEO):400V - 集电极-基极击穿电压(BVCBO):700V - 集电极电流(Ic):4A - 集电极-发射极饱和电压(VCE(SAT)):典型值0.25V(在Ic=0.5A, IB=0.1A时)

功能详解: - 集成了抗并行集电极-发射极二极管。 - 低基极驱动需求,适用于半桥轻球ast应用。 - 硅三重扩散型NPN硅晶体管。

应用信息: - 该产品不适用于医疗、救生或维持生命的应用。客户使用或销售这些产品用于此类应用,需自担风险,并同意为由此不当使用或销售导致的任何损害全额赔偿TSC。

封装信息: - TO-252和TO-251两种封装尺寸和标记图已提供,具体尺寸以机械绘图为准。
TSC5304EDCHC5 价格&库存

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