物料型号：
- TSD965LCT BO：散装，封装为TO-92。
- TSD965LCT A3：编组包装。
器件简介：
- TSD965L是一款低Vce(sat)的NPN晶体管，具有低饱和压降、高电流能力和高允许功耗的特点。
引脚分配：
- 1. 发射极（Emitter）
- 2. 集电极（Collector）
- 3. 基极（Base）
参数特性：
- 集-基电压（VCBO）：15V
- 集-射电压（VCEO）：10V
- 发-基电压（VEBO）：7V
- 集电极电流（Ic）：5A
- 集电极功耗（PD）：0.75W
- 工作结温（TJ）：+150°C
- 存储和工作温度范围（TSTG）：-55至+150°C
功能详解：
- 该晶体管为外延平面型结构，具有低VCE(sat)、高电流能力和高允许功耗的特点。
应用信息：
- 适用于需要低饱和压降和高电流输出的应用场合。
封装信息：
- 封装类型为TO-92，具体尺寸如下：
- A：最小4.30mm，最大4.70mm（0.169至0.185英寸）
- B：同A
- C：典型14.30mm（典型0.563英寸）
- E：最小2.19mm，最大2.81mm（0.086至0.111英寸）
- F：最小3.30mm，最大3.70mm（0.130至0.146英寸）
- G：最小2.42mm，最大2.66mm（0.095至0.105英寸）
- H：最小0.37mm，最大0.43mm（0.015至0.017英寸）
工商网监
湘ICP备2023018690号
