### 物料型号
- 型号：TSM1N50
- 电压等级：500V N-Channel Power MOSFET
### 器件简介
TSM1N50是一款先进的N-Channel Power MOSFET，采用先进的终止方案，提供增强的电压阻断能力，同时不随时间降低性能。此外，这款高级MOSFET设计能够承受雪崩和换向模式下的高能量。新的能效设计还提供了一个具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些器件特别适合于桥式电路，其中二极管速度和换向安全工作区是至关重要的。
### 引脚分配
- Pin 1：Gate（栅极）
- Pin 2：Drain（漏极）
- Pin 3：Source（源极）
### 参数特性
- 漏源电压(Vos)：500V
- 栅源电阻(Ros(on))：5.5 @ VGs = 10V
- 漏极电流(ID)：0.5A
### 功能详解
- 高电压终止：鲁棒的高电压终止
- 雪崩能量：指定雪崩能量
- 二极管特性：用于桥式电路的二极管特性，源到漏二极管恢复时间与离散快速恢复二极管相当
- Dss和VDS(on)：在高温下指定
### 应用信息
TSM1N50适用于高电压、高速开关应用，如电源、转换器和PWM电机控制。
### 封装信息
- 封装：TO-92
- 包装：
- TSM1N50CT B0：TO-92，1Kpcs / Bulk
- TSM1N50CT A3：TO-92，2Kpcs / Ammo
