1. 物料型号：
- 型号为TSM2301B，是一个20V P-Channel MOSFET。
2. 器件简介：
- TSM2301B采用先进的Trench Process Technology高密度Cll设计，具有超低导通电阻。
3. 引脚分配：
- 引脚定义如下：
- 1. Gate（栅极）
- 2. Source（源极）
- 3. Drain（漏极）
4. 参数特性：
- 最大漏源电压（VDs）：-20V
- 栅源电压（VGs）：±8V
- 连续漏电流（ID）：-2.8A（@VGs = -4.5V时）
- 脉冲漏电流（IDM）：-8A（@VGs = -4.5V时）
- 栅阈值电压（VGS(TH)）：-0.45V至-0.95V
- 栅体漏电流（IGSS）：±100nA
- 零栅源电压漏电流（IPSS）：-1.0A
- 导通电流（ID(ON)）：-6A（@VGS = -5V时）
5. 功能详解：
- 该器件适用于负载开关和功率放大器开关（PA Switch）的应用。
6. 应用信息：
- 适用于负载开关和功率放大器开关。
7. 封装信息：
- 封装类型为SOT-23，包装为3Kpcs/7"卷轴。
