TSM2302CX

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TSC
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TSM2302CX - 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - Taiwan Semiconductor Company, Ltd

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TSM2302 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS = 20V RDS (on), Vgs @ 4.5V, Ids @ 3.6A = 65mΩ RDS (on), Vgs @ 2.5V, Ids @ 3.1A = 95mΩ Pin assignment: 1. Gate 2. Source 3. Drain Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance Excellent thermal and electrical capabilities Compact and low profile SOT-23 package Block Diagram Ordering Information Part No. TSM2302CX Packing Tape & Reel Package SOT-23 Absolute Maximum Rating (Ta = 25℃ Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current Pulsed Drain Current Maximum Power Dissipation unless otherwise noted) Symbol VDS VGS ID IDM Ta = 25 C Ta = 75 oC o Limit 20V ±8 2.4 10 1.25 0.8 Unit V V A A W PD Operating Junction Temperature Operating Junction and Storage Temperature Range TJ TJ, TSTG +150 - 55 to +150 o o C C Thermal Performance Parameter Lead Temperature (1/8” from case) Junction to Ambient Thermal Resistance (PCB mounted) Note: Surface mounted on FR4 board t

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TSM2302CX

1. 物料型号： - 型号：TSM2302 - 封装：SOT-23

2. 器件简介： - TSM2302是一款20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET。

3. 引脚分配： - 1. Gate（栅极） - 2. Source（源极） - 3. Drain（漏极）

4. 参数特性： - 漏源电压（VDS）：20V - 栅源电压（VGS）：±8V - 连续漏电流（ID）：2.4A - 脉冲漏电流（IDM）：10A - 最大功耗（PD）：在25°C时为1.25W，在75°C时为0.8W - 工作结温（TJ）：+150°C - 工作结温和存储温度范围（TJ, TSTG）：-55至+150°C

5. 功能详解： - 高密度单元设计，超低导通电阻。 - 先进的沟槽工艺技术。 - 出色的热和电性能。 - 紧凑且低轮廓的SOT-23封装。

6. 应用信息： - 该型号适用于需要低导通电阻和高密度单元设计的场合，如电源管理、电机控制等。

7. 封装信息： - 封装类型：SOT-23 - 封装细节：TSM2302CX Tape & Reel

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