TSM2321CX

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TSC
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TSM2321CX - -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET - Taiwan Semiconductor Company, Ltd

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TSM2321 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin assignment: 1. Gate 2. Source 3. Drain VDS = - 20V RDS (on), Vgs @ -4.5V, Ids @ -3.2A = 65mΩ RDS (on), Vgs @ -2.5V, Ids @ -2.0A = 90mΩ Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance Excellent thermal and electrical capabilities Compact and low profile SOT-23 package Block Diagram Ordering Information Part No. TSM2321CX Packing Tape & Reel Package SOT-23 Absolute Maximum Rating (Ta = 25 oC unless otherwise noted) Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current Pulsed Drain Current Maximum Power Dissipation Operating Junction Temperature Operating Junction and Storage Temperature Range Ta = 25 C Ta = 75 oC o Symbol VDS VGS ID IDM PD TJ TJ, TSTG Limit -20V ±10 -3.2 -11 1.25 0.8 +150 -55 to +150 Unit V V A A W o o C C Thermal Performance Parameter Lead Temperature (1/8” from case) Junction to Ambient Thermal Resistance (PCB mounted) Note: Surface mounted on FR4 board t

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TSM2321CX

### 物料型号 - 型号：TSM2321CX - 封装：SOT-23

### 器件简介 TSM2321是一款-20V P-Channel增强型MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术，具有出色的热和电性能，高密度单元设计用于超低导通电阻，紧凑且低轮廓的SOT-23封装。

### 引脚分配 - 1. Gate（栅极） - 2. Source（源极） - 3. Drain（漏极）

### 参数特性 - 绝对最大额定值： - 漏源电压（VDS）：-20V - 栅源电压（VGS）：±10V - 连续漏电流（ID）：-3.2A - 脉冲漏电流（IDM）：-11A - 最大功率耗散（PD）：0.8W - 工作结温（TJ）：+150°C - 工作结和存储温度范围（TJ, TSTG）：-55至+150°C

- 热性能： - 引脚温度（TL）：5秒 - 结到环境热阻（Rθja）：100°C/W

### 功能详解 TSM2321具有以下特点： - 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 - 紧凑且低轮廓的SOT-23封装，适合空间受限的应用。 - 优秀的热和电性能，适用于需要高功率和高效率的应用。

### 应用信息 TSM2321适用于需要-20V耐压和高效率的P-Channel MOSFET的应用，如电源管理、电机控制和开关电源。

### 封装信息 - 封装类型：SOT-23 - 尺寸：详细尺寸信息请参考PDF文档中的机械绘图部分。

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