1. 物料型号：
- 型号：TSM2831
- 包装：TSM2831CY，胶带和卷轴包装，每卷1000件
- 封装：SOT-89
2. 器件简介：
- TSM2831是一款20V P-Channel增强型MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术和高密度单元设计，具有超低导通电阻和2.5V的工作电压。
3. 引脚分配：
- 1. Gate（栅极）
- 2. Drain（漏极）
- 3. Source（源极）
4. 参数特性：
- 漏源电压（VDS）：-20V
- 栅源电压（VGS）：±8V
- 连续漏电流（ID）：-2.8A
- 脉冲漏电流（IDM）：-10A
- 最大功耗（PD）：1.0W（Ta = 25°C），1.5W（Ta = 75°C）
- 工作结温和存储温度范围（TJ, TSTG）：-55至+150°C
- 热性能参数：θJA 65°C/W（PCB安装时的结到环境热阻）
5. 功能详解：
- 该器件具有低导通电阻、优异的热和电气性能，适用于需要高电压和低导通电阻的应用场合。
6. 应用信息：
- 适用于需要高电压和低导通电阻的应用，如电源管理、电机控制等。
7. 封装信息：
- 封装类型：SOT-89
- 机械尺寸图提供了详细的封装尺寸，包括最小和最大尺寸，以毫米和英寸为单位。
