TSM2N7002CX

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TSC
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TSM2N7002CX - 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - Taiwan Semiconductor Company, Ltd

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TSM2N7002 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin assignment: 1. Gate 2. Source 3. Drain VDS = 60V RDS (on), Vgs @ 10V, Ids @ 500mA = 7.5Ω RDS (on), Vgs @ 5V, Ids @ 50mA = 13.5Ω Features Advanced trench process technology High density cell design for low on-resistance High input impedance High speed switching No minority carrier storage time CMOS logic compatible input No secondary breakdown Compact and low profile SOT-23 package Block Diagram Ordering Information Part No. TSM2N7002CX Packing Tape & Reel Package SOT-23 Absolute Maximum Rating (Ta = 25oC unless otherwise noted) Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current Pulsed Drain Current Maximum Power Dissipation Ta = 25 C Ta > 25 C Operating Junction Temperature Operating Junction and Storage Temperature Range TJ TJ, TSTG o o Symbol VDS VGS ID IDM PD Limit 60 ± 20 115 800 225 1.8 +150 - 55 to +150 Unit V V mA mA mW MW/ C o o o C C Thermal Performance Parameter Lead Temperature (1/8” from case) Junction to Ambient Thermal Resistance (PCB mounted) Note: Surface mounted on FR4 board t

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TSM2N7002CX

1. 物料型号： - 型号：TSM2N7002 - 封装：SOT-23

2. 器件简介： - TSM2N7002是一款60V N-Channel增强型MOSFET。

3. 引脚分配： - 1. Gate（栅极） - 2. Source（源极） - 3. Drain（漏极）

4. 参数特性： - 漏源电压（VDS）：60V - 栅源电压（VGS）：±20V - 连续漏源电流（ID）：115mA - 脉冲漏源电流（IDM）：800mA - 最大功耗（PD）：在Ta = 25°C时为225mW，在Ta > 25°C时为1.8mW/°C - 工作结温范围（TJ, TSTG）：-55至+150°C - 热性能参数：例如，引脚至环境热阻（Rθja）为417°C/W。

5. 功能详解： - 具有高密度单元设计，以降低导通电阻。 - 采用先进的沟槽工艺技术。 - 紧凑且低轮廓的SOT-23封装。 - 无二次击穿现象。 - 与CMOS逻辑兼容的输入。 - 无少数载流子存储时间。 - 高输入阻抗。 - 高速开关。

6. 应用信息： - 该型号适用于需要60V耐压、低导通电阻和高速开关的应用场合。

7. 封装信息： - 封装类型：SOT-23 - 封装尺寸详细图纸已在文档中提供。

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