1. 物料型号:
- 型号:TSM2N7002KD60V
- 封装:SOT-363
2. 器件简介:
- 这是一个60V N-Channel MOSFET,由台湾半导体制造。
- 特点包括低导通电阻、高速开关和低电压驱动能力。
3. 引脚分配:
- SOT-363封装的引脚定义如下:
1. Source (源极)
2. Gate (栅极)
3. Drain (漏极)
4. Source (源极)
5. Gate (栅极)
6. Drain (漏极)
4. 参数特性:
- 漏源电压(VDs):60V
- 栅源电压(VGs):±20V
- 连续漏电流(ID):300mA
- 脉冲漏电流(IDM):800mA
- 最大功耗(PD):300mW
- 工作结温(TJ):+150℃
- 储存和工作温度范围(TJ,TSTG):-55至+150℃
5. 功能详解:
- 该器件具有低导通电阻和高速开关特性,适用于需要低电压驱动的应用。
- 它还具有ESD保护功能。
6. 应用信息:
- 适用于需要60V N-Channel MOSFET的各种应用,特别是在需要低导通电阻和高速开关的场景。
7. 封装信息:
- 封装类型:SOT-363
- 包装:3Kpcs / 7" Reel(7英寸卷轴包装,每卷3000颗)