1. 物料型号：
- 型号：TSM3441
- 封装：SOT-26
2. 器件简介：
- TSM3441是一款20V P-Channel MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术和高密度单元设计，以达到超低导通电阻。
3. 引脚分配：
- 1. Drain
- 2. Drain
- 3. Gate
- 4. Source
- 5. Drain
- 6. Drain
4. 参数特性：
- 最大漏源电压（VDs）：-20V
- 栅源电压（VGs）：±8V
- 连续漏电流（ID）：-3.3A（@Vcs = -4.5V），-2.9A（@VGs = -2.5V）
- 导通电阻（RDS(on)）：75-90mΩ（@Vds = -4.5V, Id = -3.3A），90-110mΩ（@VGs = -2.5V, Id = -2.9A）
5. 功能详解：
- 该器件具有高密度单元设计，用于超低导通电阻。
- 应用包括负载开关和功率放大器开关。
6. 应用信息：
- 适用于负载开关和功率放大器开关。
7. 封装信息：
- 封装类型：SOT-26
- 尺寸图和标记图已提供，详细描述了封装的各个尺寸和标记代码。
