1. 物料型号：
- 型号为TSM3460，是一个20V N-Channel MOSFET，具有ESD保护功能。
2. 器件简介：
- TSM3460是一款采用先进沟槽工艺技术和高密度单元设计的N沟道MOSFET，具有超低导通电阻和ESD保护功能，耐压达到2KV。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：漏极(Drain)
- 2号引脚：漏极(Drain)
- 3号引脚：漏极(Drain)、栅极(Gate)
- 4号引脚：源极(Source)
4. 参数特性：
- 漏源电压(Vps)：20V
- 栅源电压(VGs)：±12V
- 连续漏电流(lp)：6A（@VGs = 4.5V时）
- 脉冲漏电流(lOM)：30A
- 连续源电流(Is)：1.4A
- 最大功率耗散(P0)：1.3W
5. 功能详解：
- 该器件专为锂电池组设计，适用于电池开关应用。
6. 应用信息：
- 特别适用于锂电池组和电池开关应用。
7. 封装信息：
- 封装类型为SOT-26，包装为3Kpcs/7"卷装。
