1. 物料型号：
- 型号：TSM55N03
- 封装：TO-252
2. 器件简介：
- TSM55N03是一款25V N-Channel MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术和高密度单元设计，具有超低导通电阻。
3. 引脚分配：
- 1.Gate（栅极）
4. 参数特性：
- 漏源电压（Vps）：25V
- 栅源电压（VGs）：+20V
- 连续漏电流（ID）：在VGs=10V时为30A，在VGs=4.5V时为30A
5. 功能详解：
- 该MOSFET适用于负载开关、DC-DC转换器和电机驱动器等应用。
6. 应用信息：
- 适用于负载开关、DC-DC转换器和电机驱动器。
7. 封装信息：
- TSM55N03CP RO封装，TO-252封装，2.5Kpcs/13"卷装。
8. 绝对最大额定值：
- 漏源电压（Vps）：25V
- 栅源电压（VGs）：+20V
- 连续漏电流（ID）：55A（在Vcs@4.5V时）
- 脉冲漏电流（IDM）：150A（在VGs@4.5V时）
9. 热性能：
- 引脚温度（TL）：10°C
- 管脚到外壳热阻（RθJC）：1.8°C/W
- 管脚到环境热阻（RθJA）：40°C/W
10. 电气规格：
- 静态特性：包括漏源击穿电压、栅阈值电压、栅体漏电等。
- 动态特性：包括总栅电荷、栅源电荷、栅漏电荷、输入电容、输出电容和反向传输电容。
- 开关特性：包括开通延迟时间、开通上升时间、关断延迟时间和关断下降时间。
