TSM7104DCS

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TSC
封装：
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TSM7104DCS - 20V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET - Taiwan Semiconductor Company, Ltd

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TSM7104D 20V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin assignment: 1. Source 1 2. Gate 1 3. Source 2 4. Gate 2 5, 6. Drain 2 7, 8. Drain 1 VDS = - 20V RDS (on), Vgs @ - 4.5V, Ids @ - 2.3A =130mΩ RDS (on), Vgs @ - 2.5V, Ids @ - 2.0A =190mΩ Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance Excellent thermal and electrical capabilities Surface mount Fast switching Block Diagram Ordering Information Part No. TSM7104DCS Packing Tape & Reel Package SOP-8 Absolute Maximum Rating (Ta = 25 oC unless otherwise noted) Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @4.5V. Pulsed Drain Current, VGS @4.5V Maximum Power Dissipation Ta = 25 C Ta > 25 C Operating Junction Temperature Operating Junction and Storage Temperature Range TJ TJ, TSTG o o Symbol VDS VGS ID IDM PD Limit - 20V ±8 - 2.3 - 10 2 16 +150 - 55 to +150 Unit V V A A W mW/ C o o o C C Thermal Performance Parameter Junction to Ambient Thermal Resistance (PCB mounted) Note: Surface mounted on FR4 board t

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TSM7104DCS

1. 物料型号： - 型号为TSM7104D。

2. 器件简介： - TSM7104D是一款20V双P沟道增强型MOSFET。

3. 引脚分配： - 1. 源极1 - 2. 栅极1 - 3. 源极2 - 4. 栅极2 - 5, 6. 漏极2 - 7, 8. 漏极1

4. 参数特性： - VDS（漏源电压）：-20V - RDS(on)（漏源导通电阻）： - 在Vgs@-4.5V，Ids@-2.3A时为130mΩ - 在Vgs@-2.5V，Ids@-2.0A时为190mΩ

5. 功能详解： - 采用先进的沟道工艺技术和高密度单元设计，具有超低导通电阻。 - 优秀的热和电性能。 - 表面贴装。 - 快速开关。

6. 应用信息： - 该器件适用于需要双P沟道MOSFET的应用场合，如电源管理、电机控制等。

7. 封装信息： - 封装类型为SOP-8。 - 封装尺寸详细： - A: 4.80mm至5.00mm（最小至最大） - B: 3.80mm至4.00mm（最小至最大） - C: 1.35mm至1.75mm（最小至最大） - D: 0.35mm至0.49mm（最小至最大） - F: 0.40mm至1.25mm（最小至最大） - G: 1.27mm（典型值） - K: 0.10mm至0.25mm（最小至最大） - M: 0°至7°（角度） - P: 5.80mm至6.20mm（最小至最大） - R: 0.25mm至0.50mm（最小至最大）

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