物料型号：
- TSM75N03CP RO
器件简介：
- TSM75N03是一款25V N-Channel MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术和高密度单元设计，以达到超低导通电阻。
引脚分配：
- Gate（门极）
参数特性：
- 漏源电压（Vos）：25V
- 栅源电压（Vas）：+20V
- 连续漏极电流（ID）：在Vas=4.5V时为60A，在Ves=10V时为20A
- 脉冲漏极电流（IDM）：在Vas=4.5V时为225A
- 连续源极电流（二极管导通）：20A
功能详解：
- 该器件适用于负载开关、DC-DC转换器和电机驱动器等应用。
应用信息：
- 适用于负载开关、DC-DC转换器和电机驱动器。
封装信息：
- 封装类型为TO-252，每盘2.5Kpcs/13英寸的包装。
