1. 物料型号：
- TSM9926D
- TSM9926DCX6（封装为SOT-26的卷带封装）
2. 器件简介：
- TSM9926D是一款20V双N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术和高密度单元设计，具有超低导通电阻。它适用于表面贴装，具有出色的热和电气性能，并且开关速度快。
3. 引脚分配：
- 1. Gate 1
- 2. Drain
- 3. Gate 2
- 4. Source 2
- 5. Drain
- 6. Source 1
4. 参数特性：
- 漏源电压(VDS)：20V
- 栅源电压(VGS)：±12V
- 连续漏电流(VGS@4.5V, ID)：6A
- 脉冲漏电流(VGS@4.5V, IDM)：30A
- 最大功耗(PD)：1.25W（Ta = 25°C时）
- 最大功率耗散(峰值)：2W
- 工作结温(TJ)：+150°C
- 工作结和存储温度范围(TJ, TSTG)：-55至+150°C
- 封装安装在FR4板上的结到环境热阻(Rθja)：100°C/W
5. 功能详解：
- 该器件具有低导通电阻、优秀的热和电气性能，以及快速开关能力，使其适合于需要高效率和快速响应的应用场合。
6. 应用信息：
- 由于其高电压和低导通电阻特性，TSM9926D适用于需要高侧开关的应用，如电源管理、电机控制和电池保护等。
7. 封装信息：
- SOT-26封装，具体尺寸如下：
- A: 2.70mm至3.00mm（0.106至0.118英寸）
- B: 0.25mm至0.50mm（0.010至0.020英寸）
- C: 1.90mm（典型值）
- D: 0.95mm（典型值）
- E: 1.50mm至1.70mm（0.059至0.067英寸）
- F: 1.05mm至1.35mm（0.041至0.053英寸）
- H: 2.60mm至3.00mm（0.102至0.118英寸）
- L: 0.60mm（典型值）
