1. 物料型号：
- 型号：TSM9966DCX6
2. 器件简介：
- TSM9966DCX6是一款20V双N沟道增强型MOSFET，采用SOT-26封装。
3. 引脚分配：
- 1. Gate 1
- 2. Drain
- 3. Gate 2
- 4. Source 2
- 5. Drain
- 6. Source 1
4. 参数特性：
- VDS（漏源电压）：20V
- RDS(on)（导通电阻）在Vgs @ 4.5V, Ids @ 5A时为30mΩ，在Vgs @ 2.5V, Ids @ 4A时为40mΩ。
5. 功能详解：
- 采用先进的沟道工艺技术和高密度单元设计，实现超低导通电阻。
- 表面贴装，具有出色的热和电性能。
- 快速开关能力。
6. 应用信息：
- 该器件适用于需要双N沟道MOSFET的应用场合，如电源管理、电机控制等。
7. 封装信息：
- 封装类型：SOT-26
- 包装方式：Tape & Reel（卷带包装）
