1. 物料型号：
- 2N7000ZL-T92-B（无铅）
- 2N7000ZG-T92-B（含卤素）
- 2N7000ZL-T92-K（无铅，散装）
- 2N7000ZG-T92-K（含卤素，散装）
- 2N7000ZL-T92-R（无铅，卷带）
- 2N7000ZG-T92-R（含卤素，卷带）
2. 器件简介：
- 2N7000Z是一种N沟道增强型MOSFET，设计用于最小化导通电阻，提供坚固、可靠和快速的开关性能。适用于需要高达400mA直流和可提供高达2A脉冲电流的大多数应用。特别适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET门驱动器等开关应用。
3. 引脚分配：
- S：源极
- G：栅极
- D：漏极
4. 参数特性：
- 漏源电压（VDSS）：60V
- 漏栅电压（VDGR）：60V
- 栅源电压（VGS）：连续±20V，非重复性（tp<50μs）±40V
- 最大漏源电流（ID）：连续115mA，脉冲800mA
- 最大功率耗散（PD）：400mW，3.2mW/°C
- 工作和存储温度（TJ,TSTG）：-55°C至+150°C
5. 功能详解：
- 2N7000Z具有高密度单元设计，以实现低RDS(ON)和高饱和电流能力，坚固可靠，适用于小信号开关。
6. 应用信息：
- 适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET门驱动器和其他开关应用。
7. 封装信息：
- TO-92封装，有带式盒装（Tape Box）、散装（Bulk）和卷带（Tape Reel）三种包装方式。
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