### 物料型号
- 型号：2SB1202
### 器件简介
- 应用领域：UTC 2SB1202适用于电压调节器、继电器驱动器、灯驱动器和电气设备。
- 特点：
- 采用FBET、MBIT工艺。
- 大电流容量和宽ASO。
- 低集电极-发射极饱和电压。
- 快速开关速度。
### 引脚分配
- TO-126C：E(发射极)、C(集电极)、B(基极)
- TO-251：B(基极)、C(集电极)、E(发射极)
- TO-252：B(基极)、C(集电极)、E(发射极)
### 参数特性
- 绝对最大额定值：
- 集电极-基极电压(VCBO)：-60V
- 集电极-发射极电压(VCEO)：-50V
- 发射极-基极电压(VEBO)：-6V
- 集电极功率耗散(Po)：TO-126C 20W，TO-251和TO-252 28W
- 集电极电流(Ic)：DC -3A，脉冲 -6A
- 结温(TJ)：150°C
- 存储温度(TSTG)：-55~+150°C
- 热数据：
- 结到壳热阻(AJc)：TO-126C 6.25°C/W，TO-251和TO-252 4.53°C/W
- 电气特性：
- C-B击穿电压(BVCBO)：-60V
- C-E击穿电压(BVCEO)：-50V
- E-B击穿电压(BVEBO)：-6V
- 集电极截止电流(IcBO)：-1uA
- 发射极截止电流(IEBO)：-1A
- C-E饱和电压(VCE(SAT))：-0.35~-0.7V
- B-E饱和电压(VBE(SAT))：-0.94~-1.2V
- DC电流增益(hFE1)：100~560
- hFE2：35（在VcE=-2V, Ic=-3A时）
- 增益-带宽积(fr)：150MHz
- 输出电容(Cob)：39pF
- 导通时间(toN)：70ns
- 存储时间(tSTG)：450ns
- 下降时间(tF)：35ns
### 功能详解
- 分类：
- hFE1的分类范围：100-200、200-400、280-560。
### 应用信息
- 应用领域：电压调节器、继电器驱动器、灯驱动器和电气设备。
### 封装信息
- 封装类型：TO-126C、TO-251、TO-252。
- 订购信息：
- 正常：2SB1202-x-T6C-K
- 无铅镀层：2SB1202L-x-T6C-K
- 无卤素：2SB1202G-x-T6C-K
