物料型号：
- 2SB649x-x-AB3-R
- 2SB649xL-x-AB3-R（无铅）
- 2SB649xG-x-AB3-R（无卤素）
器件简介：
2SB649/A是一款PNP双极型功率通用晶体管，适用于低频功率放大器，可与UTC 2SD669/A组成互补对。
引脚分配：
- SOT-89封装：B（基极）、C（集电极）、E（发射极）
- TO-126C、TO-126、TO-92、TO-92NL封装：E（发射极）、C（集电极）、B（基极）
参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：-180V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：2SB649为-120V，2SB649A为-160V
- 发射极-基极电压（VEBO）：-5V
- 集电极电流（IC）：-1.5A
- 集电极峰值电流（IC(PEAK)）：-3A
- 集电极功耗：
- TO-126/TO-126C：1W
- TO-92/TO-92NL：0.6W
- SOT-89：0.5W
- TO-252：2W
- 结温（TJ）：+150°C
- 存储温度（TSTG）：-40°C至+150°C
功能详解：
- 该晶体管具有不同的hFE等级，2SB649的hFE1范围为60-320，2SB649A的hFE1范围为60-200。
- 具有电流增益带宽积fT为140MHz。
应用信息：
- 适用于低频功率放大器，可与UTC 2SD669/A组成互补对使用。
封装信息：
- SOT-89、TO-126C、TO-126、TO-92、TO-92NL、TO-252等封装类型。
- 封装选项包括胶带卷（Tape Reel）、散装（Bulk）和胶带盒（Tape Box）。
