2SD1616-G-AB3-B

厂商：
UTC(友顺)
封装：
描述：
2SD1616-G-AB3-B - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR - Unisonic Technologies

数据手册：

下载2SD1616-G-AB3-B.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

2SD1616-G-AB3-B 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD1616/A NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION * Audio frequency power amplifier * Medium speed switching NPN SILICON TRANSISTOR 1 SOT-89 1 TO-92 1 SIP-3 1 TO-92SP *Pb-free plating product number: 2SD1616L/2SD1616AL ORDERING INFORMATION Order Number Normal Lead Free Plating 2SD1616-x-AB3-R 2SD1616L-x-AB3-R 2SD1616-x-G03-K 2SD1616L-x-G03-K 2SD1616-x-T92-B 2SD1616L-x-T92-B 2SD1616-x-T92-K 2SD1616L-x-T92-K 2SD1616-x-T9S-K 2SD1616L-x-T9S-K 2SD1616A-x-AB3-R 2SD1616AL-x-AB3-R 2SD1616A-x-G03-K 2SD1616AL-x-G03-K 2SD1616A-x-T92-B 2SD1616AL-x-T92-B 2SD1616A-x-T92-K 2SD1616AL-x-T92-K 2SD1616A-x-T9S-K 2SD1616AL-x-T9S-K Package SOT-89 SIP-3 TO-92 TO-92 TO-92SP SOT-89 SIP-3 TO-92 TO-92 TO-92SP Pin Assignment 1 2 3 B C E E C B E C B E C B E C B B C E E C B E C B E C B E C B Packing Tape Reel Bulk Tape Box Bulk Bulk Tape Reel Bulk Tape Box Bulk Bulk 2 SD1616L-x-AB3-T (1)Packing Type (2)Package Type (3)Rank (4)Lead Plating (1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel, T: Tube (2) AB3: SOT-89, G03: SIP-3, T92: TO-92, T 9S: TO-92S (3) x: refer to Classification of hFE1 (4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn www.unisonic.com.tw Copyright © 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd 1 of 4 QW-R201-008,C 2SD1616/A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C) PARAMETER SYMBOL 2SD1616 2SD1616A 2SD1616 2SD1616A NPN SILICON TRANSISTOR RATINGS UNIT 60 Collector to Base Voltage VCBO V 120 50 Collector to Emitter Voltage VCEO V 60 Emitter to Base Voltage VEBO 6 V DC IC 1 A Collector Current 2 A Pulse(Note2) ICM Total Power Dissipation PC 750 mW Junction Temperature TJ +150 °C Storage Temperature TSTG -55 ~ +150 °C Note: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. 2. Pulse width≤10ms, Duty cycle

下载 PDF

2SD1616-G-AB3-B

物料型号： - 2SD1616-x-AB3-R - 2SD1616L-x-AB3-R - 2SD1616-x-G03-K - 2SD1616L-x-G03-K - 2SD1616-x-T92-B - 2SD1616L-x-T92-B - 2SD1616-x-T92-K - 2SD1616L-x-T92-K - 2SD1616-x-T9S-K - 2SD1616L-x-T9S-K - 2SD1616A-x-AB3-R - 2SD1616AL-x-AB3-R - 2SD1616A-x-G03-K - 2SD1616AL-x-G03-K - 2SD1616A-x-T92-B - 2SD1616AL-x-T92-B - 2SD1616A-x-T92-K - 2SD1616AL-x-T92-K - 2SD1616A-x-T9S-K - 2SD1616AL-x-T9S-K

器件简介： - 2SD1616/A是一款NPN硅晶体管，适用于音频频率功率放大和中速开关。

引脚分配： - SOT-89封装：B、C、E - SIP-3封装：E、C、B - TO-92封装：E、C、B - TO-92SP封装：E、C、B

参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25°C）： - 集电极到基极电压（VCBO）：2SD1616为60V，2SD1616A为120V - 集电极到发射极电压（VCEO）：2SD1616为50V，2SD1616A为60V - 发射极到基极电压（VEBO）：6V - 集电极电流（DC）：1A - 脉冲电流（IcM）：2A - 总功率耗散（Po）：750mW - 结温（TJ）：+150°C - 存储温度（TSTG）：-55~+150°C

- 电气特性（Ta=25°C，除非另有说明）： - 集电极-发射极饱和电压（VCE(SAT)）：0.15~0.3V - 基极-发射极饱和电压（VBE(SAT)）：0.9~1.2V - 基极发射开通电压（VBE(ON)）：600~700mV - 集电极截止电流（ICBO）：100nA - 发射极截止电流（IEBO）：100nA - DC电流增益（hFE1）：2SD1616为135~600，2SD1616A为135~400 - hFE2：81 - 转换频率（fr）：100~160MHz - 输出电容（Cob）：19pF - 导通时间（tON）：0.07us - 存储时间（tsTG）：0.95s - 下降时间（tF）：0.07s

功能详解： - 该晶体管适用于音频频率功率放大和中速开关应用，具有特定的电气特性和最大额定值，以确保在这些应用中的性能和可靠性。

应用信息： - 适用于音频频率功率放大和中速开关。

封装信息： - 提供SOT-89、SIP-3、TO-92和TO-92SP封装选项，每种封装都有不同的包装类型，如胶带卷、散装、胶带盒和管装。

2SD1616-G-AB3-B 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“2SD1616-G-AB3-B”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货