2SD1616-L-G03-K

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UTC(友顺)
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2SD1616-L-G03-K - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR - Unisonic Technologies

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2SD1616-L-G03-K 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD1616/A NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION * Audio frequency power amplifier * Medium speed switching NPN SILICON TRANSISTOR 1 SOT-89 1 TO-92 1 SIP-3 1 TO-92SP *Pb-free plating product number: 2SD1616L/2SD1616AL ORDERING INFORMATION Order Number Normal Lead Free Plating 2SD1616-x-AB3-R 2SD1616L-x-AB3-R 2SD1616-x-G03-K 2SD1616L-x-G03-K 2SD1616-x-T92-B 2SD1616L-x-T92-B 2SD1616-x-T92-K 2SD1616L-x-T92-K 2SD1616-x-T9S-K 2SD1616L-x-T9S-K 2SD1616A-x-AB3-R 2SD1616AL-x-AB3-R 2SD1616A-x-G03-K 2SD1616AL-x-G03-K 2SD1616A-x-T92-B 2SD1616AL-x-T92-B 2SD1616A-x-T92-K 2SD1616AL-x-T92-K 2SD1616A-x-T9S-K 2SD1616AL-x-T9S-K Package SOT-89 SIP-3 TO-92 TO-92 TO-92SP SOT-89 SIP-3 TO-92 TO-92 TO-92SP Pin Assignment 1 2 3 B C E E C B E C B E C B E C B B C E E C B E C B E C B E C B Packing Tape Reel Bulk Tape Box Bulk Bulk Tape Reel Bulk Tape Box Bulk Bulk 2 SD1616L-x-AB3-T (1)Packing Type (2)Package Type (3)Rank (4)Lead Plating (1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel, T: Tube (2) AB3: SOT-89, G03: SIP-3, T92: TO-92, T 9S: TO-92S (3) x: refer to Classification of hFE1 (4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn www.unisonic.com.tw Copyright © 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd 1 of 4 QW-R201-008,C 2SD1616/A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C) PARAMETER SYMBOL 2SD1616 2SD1616A 2SD1616 2SD1616A NPN SILICON TRANSISTOR RATINGS UNIT 60 Collector to Base Voltage VCBO V 120 50 Collector to Emitter Voltage VCEO V 60 Emitter to Base Voltage VEBO 6 V DC IC 1 A Collector Current 2 A Pulse(Note2) ICM Total Power Dissipation PC 750 mW Junction Temperature TJ +150 °C Storage Temperature TSTG -55 ~ +150 °C Note: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. 2. Pulse width≤10ms, Duty cycle

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2SD1616-L-G03-K

物料型号： - 2SD1616-x-AB3-R - 2SD1616L-x-AB3-R - 2SD1616-x-G03-K - 2SD1616L-x-G03-K - 2SD1616-x-T92-B - 2SD1616L-x-T92-B - 2SD1616-x-T92-K - 2SD1616L-x-T92-K - 2SD1616-x-T9S-K - 2SD1616L-x-T9S-K - 2SD1616A-x-AB3-R - 2SD1616AL-x-AB3-R - 2SD1616A-x-G03-K - 2SD1616AL-x-G03-K - 2SD1616A-x-T92-B - 2SD1616AL-x-T92-B - 2SD1616A-x-T92-K - 2SD1616AL-x-T92-K - 2SD1616A-x-T9S-K - 2SD1616AL-x-T9S-K

器件简介： - 音频频率功率放大器 - 中速开关

引脚分配： - SOT-89: B C E - SIP-3: E C B - TO-92: E C B - TO-92SP: E C B

参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25°C）： - 集电极到基极电压（VCBO）：2SD1616为60V，2SD1616A为120V - 集电极到发射极电压（VCEO）：2SD1616为50V，2SD1616A为60V - 发射极到基极电压（VEBO）：6V - 集电极电流（DC/脉冲，脉冲宽度≤10ms，占空比<50%）：1A/2A - 总功率耗散（Po）：750mW - 结温（TJ）：+150°C - 存储温度（TSTG）：-55~+150°C

- 电气特性（Ta=25°C，除非另有说明）： - 集电极-发射极饱和电压（VCE(SAT)）：0.15V~0.3V - 基极-发射极饱和电压（VBE(SAT)）：0.9V~1.2V - 基极发射开通电压（VBE(ON)）：600mV~700mV - 集电极截止电流（ICBO）：100nA - 发射极截止电流（IEBO）：100nA - DC电流增益（hFE1）：2SD1616为135~600，2SD1616A为135~400 - hFE2：81（VcE =2V, lc=1A） - 转换频率（fr）：100MHz~160MHz - 输出电容（Cob）：19pF（Vcs =10V, f=1MHz） - 导通时间（tON）：0.07μs（Vce =10V, lc =100mA） - 存储时间（tsTG）：0.95s（Ib1=-18, Ib2=10mA） - 下降时间（tF）：0.07s（VBE(OFF)=-2~-3V）

功能详解： - 该晶体管适用于音频频率功率放大和中速开关应用。

应用信息： - 该晶体管适用于音频功率放大和中速开关应用场景。

封装信息： - SOT-89 - SIP-3 - TO-92 - TO-92S

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