1. 物料型号：
- 2SD1616/A
- 无铅镀层产品型号：2SD1616L/2SD1616AL
2. 器件简介：
- 音频频率功率放大器
- 中速开关
- NPN硅晶体管
3. 引脚分配：
- SOT-89封装：B C E
- SIP-3封装：E C B
- TO-92封装：E C B
- TO-92SP封装：E C B
4. 参数特性：
- 最大额定值（Ta=25°C）：
- 集电极到基极电压（VCBO）：2SD1616为60V，2SD1616A为120V
- 集电极到发射极电压（VCEO）：2SD1616为50V，2SD1616A为60V
- 发射极到基极电压（VEBO）：6V
- 集电极电流（DC）：1A
- 脉冲电流（IcM，脉冲宽度≤10ms，占空比<50%）：2A
- 总功耗（Po）：750mW
- 结温（TJ）：+150°C
- 存储温度（TSTG）：-55~+150°C
- 电气特性（Ta=25°C，除非另有说明）：
- 饱和电压（VCE(SAT)）：Ic=1A, Ia=50mA时，0.15V~0.3V
- 基极-发射极饱和电压（VBE(SAT)）：Ic=1A, Ia=50mA时，0.9V~1.2V
- 基极发射开启电压（VBE(ON)）：VcE=2V, Ic=50mA时，600mV~700mV
- 集电极截止电流（ICBO）：VcB=60V时，小于100nA
- 发射极截止电流（IEBO）：VEB=6V时，小于100nA
- 直流电流增益（hFE1）：VcE=2V, Ic=100mA时，2SD1616为135~600，2SD1616A为135~400
- 直流电流增益（hFE2）：VcE=2V, Ic=1A时，81
- 转换频率（fr）：VcE=2V, Ic=100mA时，100MHz~160MHz
- 输出电容（Cob）：Vcs=10V, f=1MHz时，19pF
- 导通时间（tON）：Vce=10V, Ic=100mA时，0.07us
- 存储时间（tS T G）：I B1=-18, I B2=10mA时，0.95s
- 下降时间（tF）：VBE(OFF)=-2~-3V时，0.07s
5. 功能详解：
- 该晶体管适用于音频频率功率放大和中速开关应用。
6. 应用信息：
- 该晶体管适用于音频频率功率放大和中速开关应用场合。
7. 封装信息：
- SOT-89、SIP-3、TO-92、TO-92S等多种封装类型。
