2SD1616A-X-G03-K

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UTC(友顺)
封装：
描述：
2SD1616A-X-G03-K - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR - Unisonic Technologies

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2SD1616A-X-G03-K 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD1616/A NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION * Audio frequency power amplifier * Medium speed switching NPN SILICON TRANSISTOR Lead-free: 2SD1616L/2SD1616AL Halogen-free: 2SD1616G/2SD1616AG ORDERING INFORMATION Normal 2SD1616-x-AB3-R 2SD1616-x-G03-K 2SD1616-x-T92-B 2SD1616-x-T92-K 2SD1616-x-T9S-K 2SD1616A-x-AB3-R 2SD1616A-x-G03-K 2SD1616A-x-T92-B 2SD1616A-x-T92-K 2SD1616A-x-T9S-K Ordering Number Lead Free Plating 2SD1616L-x-AB3-R 2SD1616L-x-G03-K 2SD1616L-x-T92-B 2SD1616L-x-T92-K 2SD1616L-x-T9S-K 2SD1616AL-x-AB3-R 2SD1616AL-x-G03-K 2SD1616AL-x-T92-B 2SD1616AL-x-T92-K 2SD1616AL-x-T9S-K Halogen-Free 2SD1616G-x-AB3-R 2SD1616G-x-G03-K 2SD1616G-x-T92-B 2SD1616G-x-T92-K 2SD1616G-x-T9S-K 2SD1616AG-x-AB3-R 2SD1616AG-x-G03-K 2SD1616AG-x-T92-B 2SD1616AG-x-T92-K 2SD1616AG-x-T9S-K Package SOT-89 SIP-3 TO-92 TO-92 TO-92SP SOT-89 SIP-3 TO-92 TO-92 TO-92SP Pin Assignment 1 2 3 B C E E C B E C B E C B E C B B C E E C B E C B E C B E C B Packing Tape Reel Bulk Tape Box Bulk Bulk Tape Reel Bulk Tape Box Bulk Bulk www.unisonic.com.tw Copyright © 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd 1 of 4 QW-R201-008.D 2SD1616/A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C) PARAMETER SYMBOL 2SD1616 2SD1616A 2SD1616 2SD1616A NPN SILICON TRANSISTOR RATINGS UNIT 60 Collector to Base Voltage VCBO V 120 50 Collector to Emitter Voltage VCEO V 60 Emitter to Base Voltage VEBO 6 V DC IC 1 A Collector Current 2 A Pulse(Note2) ICM Total Power Dissipation PC 750 mW Junction Temperature TJ +150 °C Storage Temperature TSTG -55 ~ +150 °C Note: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. 2. Pulse width≤10ms, Duty cycle

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2SD1616A-X-G03-K

### 物料型号 - 标准型号：2SD1616 - 环保型号：2SD1616L（无铅）、2SD1616G（无卤素） - 不同封装型号： - SOT-89封装：2SD1616-x-AB3-R、2SD1616L-x-AB3-R、2SD1616G-x-AB3-R - SIP-3封装：2SD1616-x-G03-K、2SD1616L-x-G03-K、2SD1616G-x-G03-K - TO-92封装：2SD1616-x-T92-B、2SD1616L-x-T92-B、2SD1616G-x-T92-B - TO-92SP封装：2SD1616-x-T9S-K、2SD1616L-x-T9S-K、2SD1616G-x-T9S-K

### 器件简介 2SD1616/A是一款NPN硅晶体管，适用于音频频率功率放大和中速开关。

### 引脚分配 - SOT-89封装：B（基极）、C（集电极）、E（发射极） - SIP-3封装：E（发射极）、C（集电极）、B（基极） - TO-92封装：E（发射极）、C（集电极）、B（基极）

### 参数特性 - 绝对最大额定值： - 集电极-基极电压（VCBO）：2SD1616为60V，2SD1616A为120V - 集电极-发射极电压（VCEO）：2SD1616为50V，2SD1616A为60V - 发射极-基极电压（VEBO）：6V - 集电极电流（DC）：1A - 脉冲集电极电流（ICM）：2A - 总功率耗散（Pc）：750mW - 结温（TJ）：+150℃ - 存储温度（TSTG）：-55~+150℃

### 功能详解 - 电气特性： - 集电极-发射极饱和电压（VCE(SAT)）：在Ic=1A, Ia=50mA时，0.15V至0.3V - 基极-发射极饱和电压（VBE(SAT)）：在Ic=1A, Ig=50mA时，0.9V至1.2V - 基极发射开启电压（VBE(ON)）：在VcE=2V, Ic=50mA时，600mV至700mV - 直流电流增益（hFE1）：在VcE=2V, Ic=100mA时，2SD1616为135至600，2SD1616A为135至400

### 应用信息 2SD1616/A适用于音频频率功率放大和中速开关应用。

### 封装信息 - SOT-89：表面贴装型封装 - SIP-3：三引脚直插式封装 - TO-92：双列直插式封装 - TO-92SP：表面贴装型双列直插式封装

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