物料型号：
- 2SD1691L-x-T60-K（TO-126封装，无铅镀层，无卤素）
- 2SD1691G-x-T60-K（TO-126封装，含卤素）
- 2SD1691L-x-T6C-K（TO-126C封装，无铅镀层，无卤素）
- 2SD1691G-x-T6C-K（TO-126C封装，含卤素）
- 2SD1691L-x-TA3-T（TO-220封装，无铅镀层，无卤素）
- 2SD1691G-x-TA3-T（TO-220封装，含卤素）
- 2SD1691L-x-TF1-T（TO-220F1封装，无铅镀层，无卤素）
- 2SD1691G-x-TF1-T（TO-220F1封装，含卤素）
器件简介：
2SD1691是一款NPN硅晶体管，具有低集电极饱和电压和大电流特性，适用于高功率耗散场合。
引脚分配：
- TO-126封装：E（发射极）、C（集电极）、B（基极）
- TO-126C封装：E（发射极）、C（集电极）、B（基极）
- TO-220封装：B（基极）、C（集电极）、E（发射极）
- TO-220F1封装：B（基极）、C（集电极）、E（发射极）
参数特性：
- 集电极-基极电压（VcBO）：60V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：60V
- 发射极-基极电压（VEBO）：7V
- 集电极电流（Ic）：5A（DC），8A（脉冲，10ms，50%占空比）
- 基极电流（Ib）：1A
- 集电极功率耗散（Pc）：20W（TO-126/TO-126C），23W（TO-220F1），54W（TO-220）
- 结温（TJ）：150°C
- 存储温度范围（TSTG）：-55°C至+150°C
功能详解：
2SD1691晶体管具有高功率耗散能力和低集电极饱和电压，适用于需要大电流和高功率的应用场合。其互补型号为2SB1151。
应用信息：
该晶体管适用于需要高功率和大电流输出的场合，具体应用包括音频放大器、开关电源、电机驱动等。
封装信息：
- TO-126、TO-126C、TO-220、TO-220F1封装可供选择。
- 封装类型包括散装（Bulk）和管装（Tube）。
