物料型号:
- 2SD1804-x-TM3-T(TO-251封装)
- 2SD1804-x-TN3-R(TO-252封装)
- 2SD1804L-x-TM3-T(无铅,TO-251封装)
- 2SD1804L-x-TN3-R(无铅,TO-252封装)
- 2SD1804G-x-TM3-T(无卤素,TO-251封装)
- 2SD1804G-x-TN3-R(无卤素,TO-252封装)
器件简介:
2SD1804是一款NPN硅晶体管,适用于高电流开关应用。它具有低集电极-发射极饱和电压、高电流和高fT、出色的hFE线性、快速开关时间和小巧的封装。
引脚分配:
- TO-251封装:B(基极)、C(集电极)、E(发射极)
- TO-252封装:B(基极)、C(集电极)、E(发射极)
参数特性:
- 集电极-基极电压(VCBO):60V
- 集电极-发射极电压(VCEO):50V
- 发射极-基极电压(VEBO):6V
- 集电极耗散功率(PD):1W(Tc=25°C时)
- 集电极电流(Ic):8A
- 集电极电流(脉冲):12A
- 结温(TJ):+150°C
- 存储温度(TSTG):-55~+150°C
功能详解:
- 直流电流增益(hFE1):VcE=2V, Ic=0.5A时为70至400
- 直流电流增益(hFE2):VcE=2V, Ic=6A时为35至400
- 增益-带宽积(fT):VcE=5V, Ic=1A时为180MHz
- 输出电容(Cob):VcE=10V, f=1MHz时为65pF
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(SAT)):Ic=4A, IB=0.2A时为200至400mV
- 基极-发射极饱和电压(VBE(SAT)):Ic=4A, IB=0.2A时为0.95至1.3V
应用信息:
2SD1804适用于高电流开关应用,其小而薄的封装有助于减小应用设备的体积。
封装信息:
- TO-251和TO-252封装,提供有铅、无铅和无卤素版本。