2SD1816L-X-TF3-T

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2SD1816L-X-TF3-T - HIGH CURRENT SWITCHIG APPLICATION - Unisonic Technologies

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD1816 HIGH CURRENT SWITCHIG APPLICATIONS FEATURES * Low collector-to-emitter saturation voltage * Good linearity of hFE * Small and slim package facilitating compactness of sets. * High fT * Fast switching speed NPN PLANAR TRANSISTOR ORDERING INFORMATION Ordering Number Lead Free Halogen Free 2SD1816L-x-TF3-T 2SD1816G-x-TF3-T 2SD1816L-x-TM3-T 2SD1816G-x-TM3-T 2SD1816L-x-TN3-T 2SD1816G-x-TN3-T 2SD1816L-x-TN3-R 2SD1816G-x-TN3-R Package TO-220F TO-251 TO-252 TO-252 Pin Assignment 1 2 3 B C E B C E B C E B C E Packing Tube Tube Tube Tape Reel www.unisonic.com.tw Copyright © 2011 Unisonic Technologies Co., Ltd 1 of 5 QW-R209-011,C 2SD1816 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta =25℃ ) PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Collector Power Dissipation DC PULSE(Note 1) TO-251/TO-252 TO-220F SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PD NPN PLANAR TRANSISTOR Junction Temperature TJ Storage Temperature TSTG Note1: Duty=1/2, Pw=20ms Note2: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. RATINGS 120 100 6 4 8 1 2 +150 -40 ~ +150 UNIT V V V A A W W °C °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified) PARAMETER Collector Base Breakdown Voltage Collector Emitter Breakdown Voltage Emitter Base Breakdown Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Collector Cut-Off Current Emitter Cut-Off Current DC Current Transfer Ratio Transition Frequency Output Capacitance Turn-on Time Storage Time Fall Time SYMBOL BVCBO BVCEO BVEBO VBE(SAT) VCE(SAT) ICBO IEBO hFE1 hFE2 fT Cob tON tSTG tF TEST CONDITIONS IC =10μA, IE =0 IC =1mA, RB=∞ IE =10μA, IC=0 IC = 2A, IB =0.2A IC = 2A, IB=0.2A VCB = 100 V, IE =0 VEB = 4V, IC=0 VCE = 5V, IC = 0.5A VCE =5V, IC = 3A VCE =10V, IC =0.5A VCB =10V, IE =0A, f =1MHz See test circuit See test circuit See test circuit MIN 120 100 6 TYP MAX UNIT V V V 1.2 V 400 mV 1 μA 1 μA 400 MHz pF ns ns ns 0.9 150 70 40 180 40 100 900 50 UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD www.unisonic.com.tw 2 of 5 QW-R209-011,C 2SD1816 CLASSIFICATION of hFE1 RANK RANGE R 100 - 200 S 140 - 280 NPN PLANAR TRANSISTOR T 200 - 400 Q 70 -140 TEST CIRCUIT PW=20μS Duty Cycle≒1% INPUT I B1 RB I B2 50 VR + 100µ -5V Ic=10, IB1= -10, IB2=2A Unit (resistance:Ω, capacitance: F) + 470µ 50V OUTPUT UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD www.unisonic.com.tw 3 of 5 QW-R209-011,C 2SD1816 TYPICAL CHARACTERISTICS NPN PLANAR TRANSISTOR Colletcor Current, Ic (A) UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD www.unisonic.com.tw Colletcor Current, Ic (A) 4 of 5 QW-R209-011,C 2SD1816 TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.) NPN PLANAR TRANSISTOR Collector to Emitter Saturation Voltage, VCE(SAT) (mV) 25 DC (T Op a= 25 erat ion ) UTC assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters) listed in products specifications of any and all UTC products described or contained herein. UTC products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where malfunction of these products can be reasonably expected to result in personal injury. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner. The information presented in this document does not form part of any quotation or contract, is believed to be accurate and reliable and may be changed without notice. UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD www.unisonic.com.tw Collector Dissipation, PD (W) Collector Current, IC (A) Base to Emitter Saturation Voltage, VBE(SAT) (V) DC e Op n tio ra c= (T 25 ) 5 of 5 QW-R209-011,C

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2SD1816L-X-TF3-T

### 物料型号 - 型号：2SD1816 - 封装类型：TO-220F, TO-251, TO-252

### 器件简介 2SD1816是一款NPN平面晶体管，适用于高电流开关应用。它具有低集电极-发射极饱和电压、良好的hFE线性、小而薄的封装便于设备的紧凑性、高fT和快速开关速度等特点。

### 引脚分配 - TO-220F：2SD1816L-x-TF3-T, 2SD1816G-x-TF3-T, B C E（管脚） - TO-251：2SD1816L-x-TM3-T, 2SD1816G-x-TM3-T, B C E（管脚） - TO-252：2SD1816L-x-TN3-T, 2SD1816G-x-TN3-T, 2SD1816L-x-TN3-R, 2SD1816G-x-TN3-R, B C E（管脚）

### 参数特性 - 绝对最大额定值： - 集电极-基极电压（VCBO）：120V - 集电极-发射极电压（VCEO）：100V - 发射极-基极电压（VEBO）：6V - 集电极电流（Ic）：4A（DC），8A（脉冲） - 集电极功率耗散（Po）：1W（TO-251/TO-252），2W（TO-220F） - 结温（TJ）：+150°C - 存储温度（TSTG）：-40°C至+150°C

- 电气特性（Ta=25°C）： - 集电极-基极击穿电压（BVCBO）：120V - 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：100V - 发射极-基极击穿电压（BVEBO）：6V - 基极-发射极饱和电压（VBE(SAT)）：0.9V至1.2V - 集电极-发射极饱和电压（VCE(SAT)）：150mV至400mV - 集电极截止电流（ICBO）：1μA - 发射极截止电流（IEBO）：1μA - DC电流传输比（hFE1）：70至400 - hFE2：40（VcE =5V, Ic = 3A） - 转换频率（fr）：180MHz - 输出电容（Cob）：40pF - 导通时间（toN）：100ns - 存储时间（tSTG）：900ns - 下降时间（tF）：50ns

### 功能详解 2SD1816晶体管以其低饱和电压、高fT和快速开关速度而适用于高电流开关应用。它的小尺寸封装也有助于实现设备的紧凑设计。

### 应用信息 适用于需要高电流开关和快速响应的应用，如电源管理、电机控制和音频放大器。

### 封装信息 - TO-220F：适合大功率应用的封装。 - TO-251：较小的封装，适用于中等功率应用。 - TO-252：适用于高功率应用的封装，有管式和卷带式包装。

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